Samsung начинает выпуск первых в отрасли микросхем памяти GDDR5 плотностью 8 Гбит

Новая память Samsung GDDR5 поддерживает скорость 8 Гбит/с в расчете на один вывод

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в мире микросхем памяти GDDR5 плотностью 8 Гбит. Память выпускается по 20-нанометровой технологии. Она предназначена для графических карт, используемых в ПК и суперкомпьютерах, для игровых консолей и ноутбуков. Производитель отмечает, что для получения объема 8 ГБ достаточно использовать всего восемь микросхем. Как мы уже сообщали, планы Samsung по выпуску памяти GDDR5 позволяют предположить, что 3D-карты Nvidia GeForce GTX 970 и GTX 980 выйдут в вариантах с 8 ГБ памяти.

Новая память Samsung GDDR5 поддерживает скорость 8 Гбит/с в расчете на один вывод

Новая память способна передавать данные со скоростью 8 Гбит/с в расчете на один вывод. Это примерно в четыре раза выше показателя памяти DDR3, широко используемой в персональных компьютерах. Конфигурация микросхем позволяет одновременно передавать данные по 32 выводам.

Напомним, восемь лет назад компания Samsung выпустила самую быструю на тот момент в мире память GDDR5. Первые микросхемы памяти Samsung GDDR5 имели плотность 512 Мбит и были способны передавать данные со скоростью 6 Гбит/с в расчете на один вывод. Они тоже имели 32-разрядную организацию.

Источник: Samsung

15 января 2015 в 12:17

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31