В Японии создана память, построенная на изменении фазового состояния вещества, выдерживающая 100 млн. циклов перезаписи

По скорости записи новая память существенно превосходит флэш-память

Специалистами LEAP (Low-power Electronics Association & Project) и университета Цукуба разработана новая память, в основе которой лежит изменение фазового состояния вещества.

От других видов памяти, в которых тоже используется изменение фазового состояния вещества, новая память выгодно отличается повышенным быстродействием, пониженным энергопотреблением и увеличенным ресурсом. Как утверждается, ток записи уменьшен на 90%, а число допустимых циклов перезаписи превышает 100 млн. раз. По этим параметрам, а также по скорости записи новая память существенно превосходит флэш-память.

В созданной ранее фазовой памяти используется пленка из германия-сурьмы-теллура (GeSbTe), которая плохо переносит тепло, в результате чего информация в памяти может быть уничтожена в результате нагрева. В новой памяти используется пленка со сложной кристаллической решеткой из двух материалов — GeTe и Sb2Te3, а принцип записи изменен, что и позволило кардинально улучшить характеристики.

Однако новую память придется подождать. Разработчики рассчитывают на появление коммерческих продуктов, в которых используется созданная ими технология, примерно в 2018-2020 году.

Источники: Tech-On!, LEAP

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс