Микросхемы SRAM Renesas RMLV0816B и RMLV0808B обладают высокой радиационной стойкостью

ПредыдущаяСледующая

Компания Renesas Electronics объявила о выпуске пяти новых моделей микросхем статической памяти с произвольным доступом с пониженным энергопотреблением (Advanced LP SRAM), относящихся к сериям RMLV0816B и RMLV0808B. Они имеют плотность 8 Мбит и изготавливаются по нормам 110 нм.

Микросхемы SRAM Renesas RMLV0816B и RMLV0808B выпускаются по нормам 110 нм

Зачем же использовать такой «грубый» техпроцесс, когда микросхемы для потребительской мобильной электроники уже давно выпускаются по гораздо более тонким нормам?

Все дело в том, что за счет увеличения элементов удается повысить радиационную стойкость. По словам производителя, в новой памяти исключены однократные сбои (Soft Error или Single-Event Upset, SEU) и защёлкивание транзисторов (Latch-up).

Причиной однократных сбоев является импульс тока, возникающий при попадании в ячейку иона. Он переводит ячейку в противоположное состояние, но схема остается в работоспособном состоянии. Поскольку размеры транзистора в новых микросхемах сравнительно велики, для переключения требуется такой большой заряд, что вероятность возникновения сбоя стремится к нулю. Кроме того, в схему ячейки введен специальный конденсатор. В отличие от коррекции ошибок с помощью ECC, такой подход позволяет предотвратить одновременное возникновение нескольких ошибок. Применение этого и других приемов, по оценке Renesas, позволило получить такую же степень радиационной стойкости, как и в случае микросхем, выпускаемых по нормам 150 нм.

Что касается защёлкивания транзисторов, его причиной является вызванный ионом импульс тока, который приводит к открытию напоминающей тиристор схемы, образуемой паразитными структурами из пар транзисторов разного типа. В результате защелкивания ток через транзисторы растет даже после прекращения воздействия иона, что может привести к перегреву и выходу микросхемы из строя. В новой памяти на монокристаллической подложке сформированы только транзисторы с каналом n-типа, а транзисторы с каналом p-типа сформированы как тонкопленочные транзисторы с использованием поликристаллического кремния, что исключает образование тиристора из паразитных структур и принципиально устраняет риск защёлкивания транзисторов. Попутно это позволило уменьшить площадь ячейки и размеры кристалла, приблизив эти показатели к показателям памяти, выпускаемой по нормам 65 нм.

Потребляемый ток в режиме ожидания не превышает 2 мкА при температуре 25°C, что делает микросхемы подходящими для хранения данных в устройствах с резервным батарейным питанием.

В планах Renesas — выпуск такой памяти плотностью 16 Мбит.

Источник: Renesas

13 декабря 2014 Г.

15:49

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Apple позволит пользователям отключить функцию замедления смартфонов iPhone: Функцию замедления iPhone можно будет отключить 17

Команда Apple, которая занимается созданием оригинального видеоконтента, обосновалась в новом офисе в Калвер-Сити: Apple арендует новое здание в Калвер-Сити1

Процессор Core i7-8705G сравнили с GeForce MX150 в современной игре: Core i7-8705G существенно быстрее GeForce MX150 в играх8

Samsung начала массовое производство микросхем GDDR6 плотностью 16 Гбит: Что немаловажно, память GDDR6 потребляет на 35% меньше энергии, так как ее рабочее напряжение составляет 1,35 В против 1,55 В у GDDR517

Внешний аккумулятор Dodocool емкостью 20100 мА•ч может полностью зарядить MacBook: Компания Dodocool представила внешний аккумулятор емкостью 20100 мА•ч с выходной мощностью 45 Вт5

Смартфон Xiaomi Mi Mix 2s могут представить на MWC 2018: Xiaomi уже подтвердила, что она проведет свою пресс-конференцию 26 февраля1

Первая партия смартфонов Meizu M6s получит логотип mBlu: В продажу новинка поступит 19 января по цене от 155 долларов1

Полноэкранный смартфон AllCall Mix 2 получил Helio P23 и 6 ГБ ОЗУ: Даты начала продаж у смартфона пока нет7

Поставщики комплектующих для iPhone ожидают снижение уровня заказов в первом квартале 2018: Некоторые поставщики планируют временно остановить производство в феврале этого года, отправив сотрудников на недельные каникулы18

Поставки игровых ноутбуков в этом год увеличатся не более, чем на 10%: В Юго-Восточной Азии, Европе и Азиатско-Тихоокеанском регионе Asustek и MSI по объему поставок являются лучшими производителями игровых ноутбуков

Sony представит новые смартфоны 26 февраля 2018: В этом году выставка Mobile World Congress 2018 пройдет в Барселоне с 26 февраля по 1 марта10

Складной смартфон ZTE Axon M выпустят в Европе в первом квартале 2018: Более интересной для наших читателей станет информация о том, что устройство также будет выпущено на территории Европы2

Apple вложит в экономику США 350 млрд долларов в последующие пять лет: Apple рассказала, как будет инвестировать в экономику США 31

Samsung представила однокристальную систему Exynos 7872: SoC Exynos 7872 всё-таки содержит GPU Mali-G71 MP114

Смартфон Samsung Galaxy On7 Prime (2018) не получил экрана AMOLED, но может предложить неплохие параметры: Смартфон Samsung Galaxy On7 Prime (2018) оценили в 200 долларов3

194
-

iXBT TV

  • Обзор складной гладильной системы MIE Maxima: утюг, отпариватель для одежды и гладильная доска

  • Обзор недорогого Full HD DLP-проектора BenQ W1050 для домашнего кинотеатра

  • Процессор Intel с графикой AMD, экраны любой формы и размера

  • Критическая уязвимость Intel, разбор Apple iMac Pro, Dell XPS 13 стал тоньше

  • Обзор компактной беспроводной колонки JBL Playlist с поддержкой Chromecast

  • Обзор игрового IPS-монитора LG 34UM69G с соотношением сторон 21:9

  • Обзор блока питания Aerocool P7-750W Platinum с гибридной системой охлаждения

  • Apple специально замедляет старые iPhone, VR-революция, крошечный телефон

  • Обзор широкоугольного объектива Canon EF 35 mm F1.4L II USM

  • Обзор робота-пылесоса Kitfort KT-516 со сменными уборочными блоками

  • iMac Pro за $13 000, космический туризм, клавиатурные шпионы от HP

  • Обзор продвинутых сетевых накопителей QNAP D2 Pro и D4 Pro

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

-