В производстве памяти и логических микросхем уже освоены нормы в несколько десятков нанометров, но этой продукций не исчерпывается все многообразие элементной базы современных электронных устройств.
Южнокорейская компания Dongbu HiTek представила первый в отрасли техпроцесс BCDMOS (Bipolar/CMOS/DMOS), в котором используются нормы 0,18 мкм (180 нм). Его применение позволит уменьшить площадь типовой разработки, рассчитанной на BCDMOS-производство по нормам 0,35 мкм, на 40-60%, утверждает компания. Кроме того, во многих случаях, новый техпроцесс позволит устранить потребность в нескольких чипах, заменив их одним. Разработка была представлена на международном симпозиуме по полупроводниковым микросхемам.
Новый техпроцесс предназначен для выпуска микросхем, рассчитанных на напряжения 12-60 В, включая цепи управления питанием, драйверы LED, схемы управления двигателями накопителей на жестких магнитных дисках, автомобильную электронику и звуковые усилители.
Привлекательность BCDMOS проистекает из возможности интеграции аналоговых (Bipolar), логических (CMOS) и высоковольтных цепей (DMOS) в одном кристалле.
Интересно, что Dongbu HiTek опередила в создании 0,18-мкм техпроцесса BCDMOS таких признанных лидеров отрасли, как TSMC и UMC.
Источник: Dongbu HiTek