Ориентируясь на растущий рынок мобильных компьютеров, компания Micron Technology объявила о начале массового выпуска 30-нанометровых микросхем памяти DDR3L-RS, предназначенных, как сказано в соответствующем пресс-релизе, «для ультратонких компьютерных устройств и планшетов».
Применение новой оперативной памяти должно помочь уменьшить энергопотребление мобильных компьютеров в режиме ожидания, увеличив их автономность.
Эта память была представлена в феврале под названием DDR3Lm. ее ключевой особенностью является пониженная потребляемая мощность в режиме регенерации. При этом показатели производительности и надежности остались на том же уровне, что и у обычной памяти DDR3L.
Компания Micron отмечает, что она стала первым производителем, чья память DDR3L-RS успешно прошла проверку Intel на совместимость с платформой Ivy Bridge.
Сейчас доступны микросхемы плотностью 2 и 4 Гбит, а также ознакомительные образцы микросхем 8 Гбит x 32 и 8 Гбит x 16. Их массовый выпуск должен начаться в декабре.
Источник: Micron