Одной из важных характеристик мобильных электронных устройств является время автономной работы от батарей. Этим объясняется стремление разработчиков элементной базы уменьшить энергопотребление компонентов, используемых в ноутбуках, планшетах, смартфонах. Компания Micron Technology, специализирующаяся на выпуске памяти, по ее словам, «ввела новую категорию продукции» — память DDR3Lm с пониженным энергопотреблением для ультратонких нотбуков и планшетов. Первыми представителями новой категории стали микросхемы плотностью 2 и 4 Гбит.
DDR3Lm отличается от памяти типа DDR3L пониженным потреблением в режиме регенерации. В случае микросхем плотностью 2 Гбит выигрыш достигает 50% по сравнению с памятью DDR3L. Максимальная скорость составляет 1600 млн. передач в секунду. Память DDR3Lm плотностью 4 Гбит характеризуется таким же показателем энергетической эффективности, но дает возможность уменьшить количество микросхем в составе устройства. Если перейти к абсолютным значениям, ток IDD6 не превышает 3,7 мА. Микросхемы DDR3Lm плотностью 2 и 4 Гбит рассчитаны на выпуск по технологии 30-нанометрового класса.
Уже доступны ознакомительные образцы. Массовый выпуск должен начаться во втором квартале.
Источник: Micron