Micron открывает новую категорию продуктов — представлена память DDR3Lm для ультратонких ноутбуков и планшетов

Новая память плотностью 2 и 4 Гбит позволит увеличить время работы от батарей

ПредыдущаяСледующая

Одной из важных характеристик мобильных электронных устройств является время автономной работы от батарей. Этим объясняется стремление разработчиков элементной базы уменьшить энергопотребление компонентов, используемых в ноутбуках, планшетах, смартфонах. Компания Micron Technology, специализирующаяся на выпуске памяти, по ее словам, «ввела новую категорию продукции» — память DDR3Lm с пониженным энергопотреблением для ультратонких нотбуков и планшетов. Первыми представителями новой категории стали микросхемы плотностью 2 и 4 Гбит.

DDR3Lm отличается от памяти типа DDR3L пониженным потреблением в режиме регенерации. В случае микросхем плотностью 2 Гбит выигрыш достигает 50% по сравнению с памятью DDR3L. Максимальная скорость составляет 1600 млн. передач в секунду. Память DDR3Lm плотностью 4 Гбит характеризуется таким же показателем энергетической эффективности, но дает возможность уменьшить количество микросхем в составе устройства. Если перейти к абсолютным значениям, ток IDD6 не превышает 3,7 мА. Микросхемы DDR3Lm плотностью 2 и 4 Гбит рассчитаны на выпуск по технологии 30-нанометрового класса.

Уже доступны ознакомительные образцы. Массовый выпуск должен начаться во втором квартале.

Источник: Micron

10 февраля 2012 Г.

01:04

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс