Технология многокристальной упаковки интегральных микросхем памяти типа DRAM, недавно представленная компанией Invensas, дочерним предприятием Tessera Technologies, уже нашла применение в серийных продуктах.
По сообщению разработчика, технология xFD применена компанией NANIUM S.A. в высокоскоростных микросхемах DRAM большого объема. Точнее говоря, применена одна из реализаций — DFD (dual-face down), предусматривающая компоновку в общем корпусе двух кристаллов. Как утверждается, новая технология позволила уменьшить габариты микросхем при одновременном улучшении тепловых и электрических характеристик. Есть выигрыш и по цене, но его конкретное значение не приводится.
«Мы первыми применили технологию Invensas DFD в массовом производстве, — сказал Армандо Таварес (Armando Tavares), президент NANIUM. — Технология Invensas DFD позволила улучшить электрические и тепловые характеристики с применением стандартного процесса проволочных соединений и при сокращении числа производственных этапов по сравнению с обычной технологией выпуска микросхем памяти DRAM с двумя кристаллами в общем корпусе».
Источник: Invensas