Несколько дней назад компания Pentax Imaging анонсировала выпуск ограниченной партии наборов, в которые вошла цифровая зеркальная камера (DSLR) Pentax K2000 (в Европе используется обозначение K-m) и два объектива с переменным фокусным расстоянием.

Новинка полностью повторяет камеру, выпущенную в сентябре и нацеленную на потребителей, переходящих от компактных камер к DSLR. Новая камера и объективы, входящие в набор, отличаются ярким белым цветом и черными элементами отделки.

В набор входят объективы smc Pentax DA L 18-55mm F3.5-5.6 AL и smc Pentax DA L 50-200mm F4-5.6 AL. Производитель полагает, что указный комплект полностью покрывает потребности начинающего «зеркальщика», позволяя снимать широкий круг сюжетов. Особенностью системы Pentax K2000 компания называет простоту управления, которую по достоинству оценят фотолюбители. В частности, автоматический режим съемки Auto Picture Mode самостоятельно выбирает нужные установки, оптимальные для сюжета — Portrait (потрет), Landscape (пейзаж), Macro (макро), Action (действие) или Night Portrait (ночной портрет).

Легкая и компактная камера Pentax K2000 имеет датчик изображения типа CCD разрешением 10,2 Мп. Она оснащена 2,7-дюймовым дисплеем, разрешение которого равно 230000 пикселей. В камере используется такой же механизм подавления вибраций (Shake Reduction), что и в более дорогих моделях серии K, и система очистки матрицы от пыли.

Стильно выглядящий набор будет доступен, как пишут авторы пресс-релиза, «в очень ограниченном количестве», в феврале 2009 года. Цена набора «Pentax весь в белом» пока не названа.

Источники: Pentax Imaging, Digital Photo Review

В рамках встречи IEDM обсуждалось не только появление фабрик, рассчитанных на пластины диаметром 450 мм. Было также высказано мнение, что закон Мура, в соответствии с которым уже не первое десятилетие развивается полупроводниковая отрасль, после освоения норм 22 нм не будет работать, как раньше.

«Замедляется ли освоение все более тонких норм? Пока нет, но скоро начнет, — сказал Крейг Сандер, вице-президент AMD по научно-исследовательским разработкам в области техпроцессов. — Мы приближаемся к физическим пределам (уменьшения). После этого темпы снизятся».

Сандер также обратил внимание участников на рост затрат, сопровождающий прогресс в области технологий производства. В самом деле, общая стоимость разработки увеличивается в 1,4 раза при переходе к каждому следующему шагу технологических норм, постоянно сужая круг компаний, которые могут позволить себе такие затраты.

В чем специалисты видят выход из этой ситуации? Снижение темпов освоения новых норм в технологическом процессе может быть скомпенсировано увеличением количества инноваций. Образно говоря, количественное направление развития уступит роль качественному, повысив значение инноваций. В этой связи были названы наиболее перспективные разработки, которые могут найти применение, если переход к более тонким нормам замедлится. В список вошли трехмерные структуры с межслойными соединениями (thru-silicon via, TSV), углеродные нанотрубки, транзисторы типа FinFET. Интерес также представляет повышение плотности хранения NAND до четырех бит на ячейку и другие разработки в области памяти.

Источник: EE Times

Корпорация SanDisk временно прекратит выпуск флэш-памяти на мощностях, принадлежащих совместному предприятию SanDisk и Toshiba. Производство на Fab 3 и Fab 4 будет остановлено 31 декабря. Оно возобновится 12 января будущего года, причем объем выпуска составит примерно 70% от производственных возможностей. Сколько времени будет продолжаться работа в сокращенном режиме, в компании пока не знают. Как сказано в официальном пресс-релизе, дальнейшие решения будут зависеть от условий на рынке.

Сокращение производства приведет к повышению себестоимости в расчете на одну пластину; однако, как ожидается, оно позволит уравнять объемы выпуска SanDisk в 2009 году с прогнозируемым объемом спроса, который уменьшился вследствие глобального спада в экономике.

Напомним, практически одновременно с SanDisk об аналогичных шагах, направленных на сокращение выпуска флэш-памяти, объявила компания Toshiba, партнер SanDisk по совместным предприятиям, занимающий сейчас второе место в мире по объему поставок флэш-памяти типа NAND.

Источник: SanDisk

Участники мероприятия International Electron Devices Meeting (IEDM), завершившегося на прошлой неделе, обсуждали будущее полупроводникового производства, в том числе, перспективы появления предприятий, рассчитанных на обработку пластин диаметром 450 мм.

Известно, что Intel, TSMC и Samsung независимо друг от друга работают в этом направлении, рассчитывая ввести в строй «прототипы» фабрик к 2012 году. В то же время, некоторые специалисты полагают, что появления предприятий, работающих с 450-миллиметровыми пластинами, не следует ожидать в течение десятилетия. Другие и вовсе уверены, что 450-миллиметровые фабрики не появятся никогда, поскольку затраты на соответствующие научно-исследовательские и опытно-конструкторские разработки слишком велики.

Представление об уровне затрат дал Джон Лин, директор центра производственных технологий компании TSMC. Согласно приведенной оценке, затраты на 450-миллиметровую фабрику могут превысить 10 млрд. долл. Для сравнения — самая передовая 300-миллиметровая фабрика, рассчитанная на производство по нормам 45 нм, обходится примерно в 4 млрд. долл.

В Intel считают, что создание 450-миллиметровых фабрик требует согласованных усилий компаний, выпускающих микросхемы, и компаний, производящих соответствующее оборудование. Конкретные сроки появления новых производств TSMC и Intel не назвали.

В целом, источник отмечает сдержанную позицию участников встречи в отношении перехода к 450-миллиметровым пластинам. Старший вице-президент и технолог Tokyo Electron Ltd. (TEL), Масаюки Томоясу (Masayuki Tomoyasu), сказал, что затраты и риски слишком велики. По мнению Ганса Сторка (Hans Stork), главного технолога Applied Materials, нет ясности, кто станет финансировать разработку соответствующего оборудования. В отрасли существует мнение, что предпочтение следует отдать так называемой программе 300mm Prime, целью которой является повышение эффективности современных 300-миллиметровых фабрик.

Источник: EE Times

Невзирая на схожесть названий, графический процессор AMD RV740 вовсе не является наследником RV730, основы для карт семейства Radeon HD 4600.

Это решение, готовящееся к выпуску на рынок во втором квартале следующего года, будет 40-нм модификацией 55-нм ядра RV770LE (Radeon HD 4830). Оно должно стать лучшим предложением компании по соотношению производительности и цены. Ожидается, что помимо модификаций с GDDR5, о которых мы писали чуть ранее, новинка появится на рынке и в комбинациях с GDDR2, GDDR3 и GDDR4. При этом похоже, что AMD считает достаточным 128-битный интерфейс памяти, по крайней мере, в случае с GDDR5.

При этом использование памяти с базовым объёмом 512 МБ даст возможность опустить цену решений на RV740 до отметки ниже 100 долларов.

Сам чип будет насчитывать 640 потоковых процессоров.

Энергопотребление нового чипа пока неизвестно, но оно должно быть заметно более низким, нежели у 55-нм аналогов, выпускаемых ныне.

Источник: VR-Zone

Компания Canon опубликовала заявление относительно дефектов, присущих снимкам, сделанным камерами EOS 5D Mark II.

Речь идет о дефектах «черная точка» (Black Dot) и «вертикальный бандинг» (Vertical Banding), которые заметили владельцы и потенциальные покупатели камеры, внимательно изучающие сделанные ею снимки. По словам компании, сейчас предпринимаются попытки разобраться в причинах появления дефектов и выработать меры борьбы с ними.

Таким образом, компания признала существование дефектов на снимках, сделанных с помощью Canon EOS 5D Mark II. По словам Canon, дефекты проявляются при следующих условиях съемки:

Дефект «черная точка» заметен на снимках, сделанных в темное время суток, и виден, как черная область в правой части точечных источников света. Он заметен при просмотре на экране в масштабе 100% или при печати фотоснимков большого размера.

Дефект «вертикальный бандинг» возникает, если выбран формат sRAW1, и становится видимым при определенном сочетании объекта съемки, фона и настроек камеры. Он не заметен, если снимать в формате sRAW2, RAW или JPEG. Уменьшить проявление дефекта, визуально воспринимаемое, как шум, можно, установив значение настройки C.Fn II-3: Highlight tone priority в значение 0: Disable.

Вероятно, со временем компания выпустит обновленную версию встроенного программного обеспечения, в котором обнаруженные дефекты будут устранены или, по крайней мере, сведены к минимуму. Пока же в своем обращении Canon приносит извинения и благодарит за терпение фотографов, выложивших за камеру немалые деньги (напомним, в США камера со штатным объективом стоит примерно $3500).

Кстати, это не первый случай, когда в дорогих моделях зеркальных камер Canon обнаруживаются дефекты. Например, в прошлом году дефект автофокуса, обнаруженный в профессиональной камере EOS-1D Mark III стоимостью около $4000, привел к тому, что пришлось остановить поставки и даже отозвать эту модель из торговых сетей.

Источник: Canon

С момента выпуска второй версии твердотельного накопителя Warp прошло чуть больше трех месяцев, а компания Patriot Memory уже подготовила новый вариант этого устройства, характеризующийся очень высокой скоростью работы. Заявленная максимальная скорость Warp SSD v3 в режиме чтения составляет 240 МБ/с, записи — 160 МБ/с.

Объем накопителя Warp SSD v3 равен 256 ГБ.

«Наш новый 256-гигабайтный твердотельный накопитель Warp SSD v3 дает пользователю самые высокие скорости и достаточно места для того, чтобы утолить мультимедийную жажду», — сказал Менг Джей (Meng Jay), менеджер направления флэш-продуктов Patriot Memory.

Устройство выполнено в 2,5-дюймовом типоразмере и оснащено интерфейсом SATA II. Номер модели — PE256GS25SSDR. Цена новинки пока не названа.

Источники: Patriot Memory, TechConnect Magazine

По данным Reuters, японский производитель намерен сократить выпуск флэш-памяти типа NAND на 30%, начиная с января будущего года. Причиной названо падение спроса на эту продукцию, используемую в цифровых камерах и музыкальных проигрывателях, связанное с глобальным замедлением в экономике.

Перепроизводство и падение спроса отрицательно сказалось на ценах, в результате чего полупроводниковое производство Toshiba завершило первую половину года с отрицательным балансом.

По мнению аналитиков, сокращение производства является единственной мерой, способной переломить ситуацию. Безусловно, действий только одного производителя, даже такого крупного, как Toshiba, недостаточно. Пока не освободятся склады, на оздоровление отрасли надеяться не стоит.

Пока даже в самой Toshiba не знают, сколько предстоит проработать в сокращенном режиме флагманскому предприятию, расположенному на западе Японии. В дополнение к январскому сокращению объемов на 30% компания планирует на 13 дней полностью остановить работу линий, использующих 300-миллиметровые пластины, начиная с 31 декабря.

Как известно, Toshiba занимает второе место в мире по объему выпуска флэш-памяти типа NAND, уступая только южнокорейскому гиганту Samsung Electronics.

Источник: Reuters

О выпуске система водяного охлаждения (СВО) под названием Domino Advanced Liquid Cooling (ALC) сообщила компания CoolIT Systems. По словам компании, в новинке удалось объединить высокую производительность, низкий уровень шума и долголетнюю работу без обслуживания. Важной особенностью СВО Domino является наличие встроенного информационного дисплея и органов управления, позволяющих легко переключаться между режимами.

Система проста в установке, совестима с процессорами AMD и Intel, включая модели Intel Core i7. Предусмотрено несколько режимов, соответствующих конфигурации и производительности ПК. СВО в состоянии информировать пользователя о состоянии системы, подавать визуальные и звуковые сигналы в случаях, требующих вмешательства пользователя.

По оценке производителя, СВО может безотказно проработать не менее 50000 часов. Потребляемая мощность системы охлаждения не превышает 8 Вт. Рекомендованная производителем розничная цена Domino ALC равна $79.

Источник: CoolIT Systems

Компания Lian Li Industrial начала выпуск двух наборов радиаторов для верхней панели, предназначенных для корпусов PC-A70 / PC-A7010. В наборы T-7024W и T-7022W входит медный радиатор с открытыми воздухоотводами, установленный на внутреннюю сторону верхней панели. На внешней стороне панели есть мультимедийные порты, облегчающие использование корпуса. Панели будут кстати в ПК с системами водяного охлаждения, поскольку компактный и внутренний радиатор обеспечивает хороший отвод тепла.

На верхних панелях на внешней стороне расположены разъемы USB 2.0 (четыре штуки), IEEE 1394 и E-SATA (по одному) и разъем звуковой подсистемы HD+AC97. Ниже установлены медные радиаторы разного размера для различных моделей. В модели T-7024W используется более крупный радиатор размером 140 x 280 мм с двумя подшипниковыми вентиляторами охлаждения диаметром 140 мм (1500 об/мин). В модели T-7022W — радиатор размером 120 x 240 мм с двумя подшипниковыми вентиляторами охлаждения диаметром 120 мм (1500 об/мин). В наборы не входит система труб или водяной насос, они разработаны для улучшения уже существующих систем водяного охлаждения.

Радиаторы наборов T-7024W и T-7022W сделаны из чистой меди с черным анодированным покрытием. Преимущество встроенных радиаторов в том, что они не увеличивают габариты корпуса и не меняют его внешний вид.

Цена, рекомендованная производителем, составляет $120 и $200 (T-7022W и T-7024W соответственно).

Источник: Lian Li Industrial

По словам корпорации Toshiba, у нее готова рентабельная технологическая платформа для выпуска микросхем по технологии CMOS с соблюдением норм 32 нм. По сравнению с технологией, применяемой при изготовлении продукции с соблюдением норм 45 нм, она обеспечивает меньшую себестоимость, большую плотность размещения элементов и быстродействие схем.

В основе платформы лежит использование улучшенной литографии с однократной экспозицией и процесса с применением материала с высоким значением диэлектрической постоянной, при котором металлический затвор формируется в первую очередь (gate-fist metal gate/high-K). Созданная по этой технологии ячейка памяти SRAM имеет площадь 0,124 кв.мкм, что делает ее самой миниатюрной ячейкой SRAM, изготавливаемой по нормам 32 нм. Платформа была создана на основе техпроцесса, рассчитанного на соблюдение норм 32 нм, который был разработан совместно с NEC Electronics. Кстати, совместная с NEC Electronics разработка стала также основой технологической платформы Toshiba, в которой используется техпроцесс CMOS с соблюдением норм 40 нм.

Использование однократной экспозиции является ключевым решением, позволившим снизить себестоимость производства по сравнению с двукратной экспозицией, на которую изначально ориентировались специалисты при выработке правил проектирования чипов нового поколения. Двукратная экспозиция влечет за собой увеличение количества этапов техпроцесса, что неминуемо повышает стоимость производства и снижает процент выхода годной продукции.

В процессе разработки также подтвердилось, что переход к технологии metal gate/high-K не только улучшает характеристики транзисторов, но и уменьшает разброс параметров, что повышает стабильность работы SRAM и логических цепей.

Источник: Toshiba

По всей видимости, ожидать официального объявления о переводе ускорителей семейства GeForce GTX 260 на 55-нм ядро с нынешнего 65-нм не стоит. По крайней мере, в японской рознице источник обнаружил в продаже карту производства Inno3D, использующую уже процессор GT200b.

Акселератор разогнан фабрично относительно штатных параметров, рекомендуемых NVIDIA для GeForce GTX 260 216. GPU работает на частоте 620 МГц вместо 576 МГц, память DDR3 — на частоте 2100 МГц вместо 1998 МГц.

Внешне карту сложно отличить от более старых аналогов, поскольку она произведена по референсному дизайну и использует обычный кулер, разработанный NVIDIA. О новом ядре свидетельствует лишь надпись на системе охлаждения.

Цена новинки пока кусается — 390 долларов. Вероятно, это можно отнести к издержкам, свойственным для любых только появившихся продуктов компьютерной индустрии.

Источник: watch.impress.co.jp.

8 января следующего года нас ожидает официальный анонс первых настольных 45-нм процессоров AMD, семейства Phenom II. Модели стартовой линейки будут выпущены с разъёмом Socket AM2+, контроллером памяти DDR2.

Однако, AMD не намерена затягивать с выпуском решений в форм-факторе Socket AM3. По словам производителя, разработка производства таких CPU и системных плат для них идёт даже лучше, чем планировалось. Системные платы с разъёмом Socket AM3 и поддержкой DDR3 ожидаются на рынке в конце января. Ранее более вероятным сроком назывался февраль.

Впрочем, напомним, что такие CPU (но, разумеется, не DDR3) будет поддерживать и ряд ныне продающихся плат, например, ASUS M3A78-T, изображенная на фото.

В существенных объёмах на рынке плат и процессоров с разъёмом AM3 следует ожидать в феврале. В числе самых оперативных партнеров AMD на данном поприще называются ASUS и Elitegroup.

К выставке CES 2009, которая пройдет в следующем месяце в США, компания AOC подготовила весьма интересный экспонат, который должен заставить завернуть к её экспозиции не одну сотню гостей мероприятия.

Дисплей V22 Verfino, относящийся к новой серии Gamer Certified, не только имеет выразительный дизайн, но и характеристики, соперников которым сегодня немного.

Он оснащен светодиодной подсветкой, обеспечивающей уровень контрастности (динамической) в 100000:1. Сама матрица — 22", с разрешением 1680 х 1050 мс. Углы обзора составляют 160 градусов по вертикали и горизонтали, яркость — 280 нит, время отклика — 2 мс, что достаточно даже для динамичных игр.

Монитор оснащен входами HDMI и D-Sub.

Наряду с новинкой на выставке AOC покажет также 2230Fm HD3 и 2230Fh, о которых мы писали ранее.

AOC V22 Verfino появится в продаже в начале следующего года по не названной пока цене.

Источник: Engadget

Необычно выглядит последнее пополнение в модельном ряду графических ускорителей SPARKLE Computer. Видимо трансляции из заснеженных регионов России вдохновили тайваньских дизайнеров на создание белоснежного радиатора для карты SX98GP1024D3-NM. Цвет текстолита акселератора — синий. Производитель отмечает использование высококачественных термоинтерфейсов и тихого вентилятора. Система охлаждения занимает два посадочных места.

Объём оперативной памяти у новинки вдвое больше, нежели рекомендуется NVIDIA, 1 ГБ. В решении применен 55-нм GPU G92b, работающий на частоте 738 МГц, оснащенный 128 шейдерными процессорами (1836 МГц) и имеющий 256-битный контроллер памяти. Частота памяти GDDR3 составляет 2,2 ГГц.

Карта оснащена выходами D-Sub, DVI и HDMI, поддерживает технологию 3-Way SLI.

Источник: SPARKLE Computer