SanDisk и Toshiba представили 48-слойную флэш-память 3D NAND (BiCS)

Серийный выпуск 48-слойной флэш-памяти BiCS начнется в 2016 году

Компании SanDisk и Toshiba сообщили о разработке микросхемы флэш-памяти типа NAND с объемной компоновкой (3D NAND) второго поколения, которая состоит из 48 слоев. Каждая ячейка памяти BiCS хранит два бита информации, а всего в микросхеме можно хранить 128 Гбит (16 ГБ). Основной областью применения этих микросхем названы твердотельные накопители.

Серийный выпуск 48-слойной флэш-памяти BiCS начнется в 2016 году

Пилотное производство должно начаться на фабрике совместного предприятия в Йоккаити во втором полугодии, а серийный выпуск — в 2016 году. К тому времени в в Йоккаити будут готова новая фабрика на месте Fab2, которая строится как раз в расчете на выпуск флэш-памяти 3D NAND.

Источники: SanDisk, Toshiba

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс