Компании SanDisk и Toshiba сообщили о разработке микросхемы флэш-памяти типа NAND с объемной компоновкой (3D NAND) второго поколения, которая состоит из 48 слоев. Каждая ячейка памяти BiCS хранит два бита информации, а всего в микросхеме можно хранить 128 Гбит (16 ГБ). Основной областью применения этих микросхем названы твердотельные накопители.
Пилотное производство должно начаться на фабрике совместного предприятия в Йоккаити во втором полугодии, а серийный выпуск — в 2016 году. К тому времени в в Йоккаити будут готова новая фабрика на месте Fab2, которая строится как раз в расчете на выпуск флэш-памяти 3D NAND.