Компания HP в сотрудничестве с Hynix Semiconductor планирует выпустить память на основе мемристоров в качестве замены флэш-памяти летом 2013 года, сообщил старший научный сотрудник HP Labs Стэн Вильямс (Stan Williams) на конференции International Electronics Forum 2011, проходившей в испанском городе Севилья.
Принцип работы мемристора (название образовано из английских слов memory — память и resistor — резистор) был описан теоретически ещё в 1971 году ученым из калифорнийского университета в Беркли Леоном Чуа (Leon Chua). На создание первого рабочего образца элемента ушло 37 лет.
За последние три года портфель HP пополнили 500 патентов, касающихся новой технологии. Вильямс отметил, что разработку резистивной памяти (RRAM) на основе оксидов металлов ведут многие компании. В частности, в Samsung над созданием нового типа памяти участвует даже больше сотрудников, чем в HP.
По словам Вильямса, новая технология показывает столь убедительные результаты по энергопотреблению, скоростям чтения и записи, надёжности и долговечности, что в будущем может заменить используемую сейчас статическую и динамическую память с произвольным доступом (SRAM и DRAM).
Разрабатываемая технология превосходит существующую флэш-память по всем параметрам. Время чтения составляет менее 10 нс, время записи и стирания – около 0,1 нс. Память способна выдержать 10^12 циклов перезаписи и прослужит многие годы.
Положительной стороной мемристорной памяти является то, что для её производства необходимы те же материалы, что используются сегодня на фабриках по выпуску кремниевых пластин. В перспективе, это позволит добавить чип памяти объёмом 2 ГБ прямо на процессор, предположил Вильямс.
Другими качествами мемристоров является их применение в вычислительных схемах и использование в качестве аналога синапсов в нейронных сетях.
В заключение Вильямс отметил, что HP не собирается выходить на рынок производителей памяти, а будет извлекать прибыль от лицензирования разработки своим партнерам.
Источник: EETimes