Micron разработала флэш-память типа NOR с интерфейсом SPI плотностью до 1 Гбит

Флэш-память обеспечивает скорость чтения до 54 МБ/с при частоте 108 МГц

Специалисты компании Micron Technology разработали флэш-память типа NOR с последовательным интерфейсом SPI, имеющую плотность 256, 512 и 1024 Мбит. Устройства, вошедшие в состав серии N25Q, изготавливаются по 65-нанометровой технологии. Новые разработки повыводно совместимы с другими продуктами серии.

Флэш-память обеспечивает скорость чтения до 54 МБ/с при частоте 108 МГц. Рабочее напряжение микросхем может составлять 1,8 или 3 В. Устройства поддерживают одинарный, двойной (DSPI) и четверной (QSPI) интерфейсы ввода-вывода. Для повышения быстродействия используется технология Double transfer rate (DTR).

Поставки ознакомительных образцов микросхем уже начались.

Источник: Micron Technology

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс