Специалисты компании Micron Technology разработали флэш-память типа NOR с последовательным интерфейсом SPI, имеющую плотность 256, 512 и 1024 Мбит. Устройства, вошедшие в состав серии N25Q, изготавливаются по 65-нанометровой технологии. Новые разработки повыводно совместимы с другими продуктами серии.
Флэш-память обеспечивает скорость чтения до 54 МБ/с при частоте 108 МГц. Рабочее напряжение микросхем может составлять 1,8 или 3 В. Устройства поддерживают одинарный, двойной (DSPI) и четверной (QSPI) интерфейсы ввода-вывода. Для повышения быстродействия используется технология Double transfer rate (DTR).
Поставки ознакомительных образцов микросхем уже начались.
Источник: Micron Technology