Компания Cypress Semiconductor представила микросхемы энергонезависимой статической памяти с произвольным доступом (nvSRAM) плотностью 2 и 8 Мбит. Таким образом, в ассортименте Cypress сейчас есть изделия nvSRAM плотностью от 16 Кбит до 8 Мбит.
Микросхемы получили обозначения CY14B102 и CY14B108. Они полностью совместимы с памятью типа SRAM, SRAM с батарейным резервированием, EPROM и EEPROM. Время доступа новой памяти равно 20 нс. Количество циклов чтения и записи не ограничено. В отсутствие питания память Cypress nvSRAM может хранить информацию в течение 20 лет.
Особенность памяти nvSRAM заключается в том, что при пропадании напряжения питания данные копируются из ячеек SRAM в энергонезависимые элементы. После появления питания данные автоматически восстанавливаются в SRAM из энергонезависимой памяти. Обе операции также могут быть выполнены программно. По критериям стоимости и надежности память типа nvSRAMs превосходит память типа MRAM и FRAM. Для ее производства используется 0,13-мкм техпроцесс Cypress S8 SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon).
В настоящий момент доступны ознакомительные образцы CY14B102 и CY14B108в 48-контактных корпусах типа FBGA, 44- и 54-контактных корпусах типа TSOPII. К областям применения новинок производитель относит серверы, приложения RAID, промышленную автоматику, автомобильную электронику, медицинские приборы и средства связи.
Источник: Cypress Semiconductor