В программу мероприятия IDF 2011, наряду с ключевыми докладами, вошли технические сессии, посвященные успехам и планам Intel в развитии технологии полупроводникового производства, будущему мобильных процессоров и однокристальных систем, а также другим интересным вопросам.
Первую сессию провел Стивен Смит (Stephen L Smith), вице-президент и директор направления, разрабатывающего нетбуки и планшеты
Господин Смит рассказал о проектировании и производстве чипов по нормам 22 нм.
Сочетание высокой производительности и энергетической эффективности в компании Intel считают важным условием роста рыночных сегментов. Добиться такого сочетания позволяет применение 22-нанометровых транзисторов Tri-Gate. Параллельно с процессорами, в Intel развивают и однокристальные системы. При этом в однокристальных системах Atom темп развития вдвое опережает темп, соответствующий закону Мура.
У разных сегментов рынка требования к процессорам и продуктам на их базе различаются.
В Intel «основательно сместили» технологические и конструкторские приоритеты. Во главу угла поставлено лидерство в «новом классе», характеризующемся малым энергопотреблением.
Повысить энергетическую эффективность позволяет уменьшение норм техпроцесса. Например, при переходе к 22 нм на 50% сокращается энергопотребление. Это значит, что можно сделать 22-нанометровый процессор с той же производительностью, что у 32-нанометрового, но потребляющий на 50% меньше энергии, или сделать 22-нанометровый процессор с вдвое большей производительностью, но таким же энергопотреблением, как у 32-нанометрового.
Если дополнить переход к нормам 22 нм использованием новой структуры транзистора — Tri-Gate, то выигрыш становится еще заметнее.
Теперь наряду с традиционной линейкой процессорных ядер будет сразу развиваться и линейка однокристальных систем.
Транзисторы однокристальных систем, выпускаемых по нормам 32 нм, могут быть оптимизированы по критерию высокой производительности или малого энергопотребления в широких пределах.
