Технология флэш-памяти типа NAND сможет оставаться в строю, по крайней мере, еще пять лет или около того, отодвигая на этот срок потребность в освоении технологии памяти нового поколения, которую часто называют универсальной. Таково, по данным источника, мнение одного из руководителей компании Micron Technology.
Сегодня, производители NAND планируют освоение технологических норм менее 50 нм. В будущем, как ожидается, чипы NAND можно будет выпускать по нормам, по крайней мере, следующим за 20 нм, утверждает Фрэнки Рупарвар (Frankie Roohparvar), вице-президент по разработке NAND компании Micron. Напомним, Micron участвует в IM Flash Technologies - совместном с Intel предприятии по выпуску NAND.
На вопрос о том, когда NAND исчерпает свой потенциал масштабирования, Рупарвар ответил, что это случится не ранее 2011 или 2012 года.
Сейчас компания Micron уже выпускает 50-нм чипы NAND, а в лабораторных условиях изготовлены образцы 25-нм приборов.
В отношении технологии, которая придет на смену NAND, пока ясности нет, сказал Рупарвар. Производители продвигают несколько разработок, которые преподносятся, как универсальная замена DRAM и NAND. Среди наиболее вероятных преемников существующих технологий можно отметить ферроэлектрическую (сегнетоэлектрическую) память (FRAM), магниторезистивную память (MRAM) и память, основанную на эффекте изменения фазового состояния вещества (PRAM).
Источник: EE Times