Micron Technologies официально объявила о разработке нового типа памяти, используемой в сетевом оборудовании - Reduced Latency Dynamic RAM (RLDRAM) II.
Плотность чипов по сравнению с первым поколением RLDRAM увеличена вдвое - с 288 до 576 Мбит, скорость - с 400 до 533 МГц. Латентность снизилась с 20 до 15 нс. Micron планирует, что новый тип памяти найдет применение в системах будущего, где максимальная скорость обмена данными по сети будет достигать 10 Гб/с.
В настоящий момент у RLRAM есть серьезный конкурент в лице Fast cycle RAM (FCRAM), однако разработчик считает, что очевидные преимущества в производительности второго поколения памяти, создаваемой Micron, будут способствовать тому, что производители готовых решений станут выбирать именно её.
Первые тестовые образцы RLDRAM II уже направлены партнерам для тестирования, а массовое производство должно стартовать в начале следующего года.
Источник: TG Daily