В новостях, посвященных технологиям, используемым в накопителях на жестких магнитных дисках, речь, как правило, идет о пластинах, обеспечивающих высокую плотность хранения данных; шпинделях, вращающихся с высокой скоростью; головках с перпендикулярной записью и тому подобных вещах - но не об электронике, обеспечивающей передачу данных. Между тем, как известно, скорость каравана равна скорости, с которой движется самый медленный верблюд. Это значит, что скорость работы винчестера невозможно повысить, не улучшая показатели всех компонентов, в том числе, электронных схем.
На днях, компания Infineon Technologies AG продемонстрировала работу ядра канала чтения накопителя на жестких дисках, обеспечивающего скорость передачи более 2,6 Гб/с. На сегодняшний день, это максимальное значение для чипов, изготавливаемых по нормам 90 нм, и примерно на 30% выше, чем у ядер предыдущего поколения. Новинка была разработана в сотрудничестве с компанией Hitachi Global Storage Technologies.
Новое ядро предназначено для интеграции в однокристальную систему, которая будет содержать все узлы, необходимые для управления жестким диском, включая цепи физического уровня (Physical Layer, PHY). По утверждению компании, эта система станет первым изделием такого рода, поддерживающим работу с интерфейсом Fibre Channel (4,25 Гб/с) и перспективным последовательным интерфейсом с пропускной способностью 6 Гб/с (речь идет о развитии SAS (Serial Attached SCSI) и S-ATA (Serial ATA)). Массовый выпуск указанной однокристальной системы планируется наладить в начале 2007 года.
Между прочим, по прогнозам Gartner Dataquest, опубликованным год назад, рынок накопителей на жестких дисках вырастет к 2009 году на 30% (по сравнению с 2005 годом): с 3,3 до 4,5 млрд. долл.
Источник: Infineon