Итак, Samsung Electronics выпустила 512-Мбит чипы DDR-II SDRAM, которые пока доступны в органиченном количестве. Массовое производство 512-Мбит чипов начнется в третьем квартала этого года, после успешно состоявшегося тестирования 128-Мбит DDR-II модулей корпорацией IBM.
В настоящее время скорость чтения/записи 512-Мбит чипов памяти Samsung составляет 533 Мбит/с, однако компания утверждает, что для специализированных задач, в частности, для сетевого оборудования, скорость чтения/записи будет увеличена до 667 Мбит/с.
Еще Samsung прогнозирует, что в этом году доля DDR-памяти на рынке DRAM достигнет 40%, а в 2003 году – 66%. Объем рынка DRAM в этом году Samsung оценивает в $21,1 млрд. а в будущем году компания ожидает, что рынок памяти вырастет почти вдвое – до $41,1 млрд.