Многочисленные достоинства флэш-памяти типа NAND соседствуют с ограниченным сроком службы, сужающим сферу ее применения. Количества циклов записи-стирания вполне достаточно для карточек памяти, используемых в фотокамерах, но для твердотельных накопителей, работа которых сопряжена с интенсивной перезаписью информации, хотелось бы иметь больший ресурс.
По словам компании Micron Technology, сотрудничество с Sun Microsystems позволило создать новую память типа SLC (single-level cell) NAND с увеличенным сроком службы, которая хорошо подходит для применения в продукции, ориентированной на деловые приложения. На данный момент разработка имеет наибольшее количество циклов записи-стирания среди всех продуктов в категории флэш-памяти типа NAND, доступных на рынке. Речь идет о серийных продуктах, поддерживающих миллион циклов. Как утверждается, это обусловит появление новых решений на базе флэш-памяти, которые разрабатывают Sun, Micron и другие производители.
Компания Micron уже начала поставки ознакомительных образцов продуктов линейки Enterprise NAND плотностью до 32 Гбит. Серийное производство должно начаться в первом квартале 2009 года.
Кроме того, в начале будущего года Micron планирует представить память типа SLC и MLC (multi-level cell) NAND с большим количеством циклов записи, рассчитанную на выпуск по нормам 34 нм.
Источник: Micron Technology