Специализирующаяся на разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM) компания Micromem Technologies сообщает об успешном выпуске этой продукции в условиях серийного производства. Фактически, это итог интенсивной трехлетней научно-исследовательской работы, подтвердивший работоспособность выбранной концепции. Ячейки MRAM, созданные специалистами Micromem Technologies, пригодны для массового выпуска. Первая очередь соответствующего производства, по словам компании, будет готова в январе 2008 года. Активное участие в разработке новой технологии приняла компания Global Communication Services, располагающая собственным полупроводниковым производством.
Напомним, память типа MRAM многие специалисты склонны считать основным претендентом на роль универсальной памяти следующего поколения. Этому способствует высокое быстродействие и надежность, малое энергопотребление и размеры ячеек. О своих успехах в области разработки MRAM недавно сообщила компания Toshiba, специалистам которой удалось практически подтвердить возможность применения технологии переключения передачей спинового вращательного момента и перпендикулярной магнитной анизотропии (PMA) в туннельном магниторезистивном элементе (MTJ), который является ключевым компонентом ячейки MRAM.
Однако вернемся к Micromem Technologies. В текущих планах компании, завершившей предварительные переговоры с потенциальными заказчиками новой технологии, значится начало поставок образцов памяти MRAM для тестирования. В частности, будет проверена устойчивость ячеек воздействию радиации. Это позволит выяснить, насколько новая память пригодна для применения в медицинском оборудовании, стерилизуемом радиоактивным излучением, в космических аппаратах и военной технике. По словам компании, она уверена, что память успешно пройдет все тесты.
Начать отгрузку продукции для тестирования заказчиками (для этих целей будут использоваться 64-битные массивы ячеек) производитель рассчитывает в ближайшие три-четыре месяца.
Источник: Micromem Technologies