С помощью Toshiba, компания SanDisk смогла наладить серийное производство флэш-памяти типа NAND по нормам 56 нм. Чипы будут выпускаться на Fab 3, расположенной в Японии, из 300-мм пластин, с применением технологии многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC). Ближайшие планы SanDisk включают начало поставок MLC-чипов флэш-памяти максимальной плотности этой весной.
Первыми будут выпущены 8-гигабитные однокристальные изделия – появление на рынке ознакомительных образцов ожидается в ближайшие недели, а массовые поставки должны развернуться в текущем квартале, но позже. Второй квартал SanDisk планирует отметить удвоением плотности. Как утверждается, 16-гигабитные чипы NAND станут рекордными по плотности среди аналогичных изделий.
Уменьшение норм позволило поднять быстродействие памяти – по словам производителя, скорость записи удвоена по сравнению с 70-нм образцами.
Напомним, к концу года ожидается вступление в строй Fab 4 - еще одной фабрики совместного предприятия SanDisk и Toshiba, получившего название Flash Alliance. Новое производство также сможет работать с 300-мм пластинами по 56-нм нормам.
Источник: SanDisk Corporation