Бельгийский научно-исследовательский консорциум IMEC сообщает о заключении соглашения с крупнейшим тайваньским контрактным производителем полупроводниковых микросхем TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.), в рамках которого будет проведена разработка КМОП (CMOS) технологических процессов для создания полупроводниковых чипов с соблюдением норм 45 нм. Таким образом, TSMC стала десятым по счету производителем, включившимся в гонку за 45-нм технологическое лидерство под эгидой IMEC. Все участвующие в проекте производители используют для выпуска микросхем 300-мм полупроводниковые пластины.
Стоит отметить, что участие TSMC в исследовательском проекте является своеобразным сигналом о том, что 45-нм технологии, что называется, «на подходе», и теперь перед разработчиками стоят вопросы оптимизации выхода годных чипов, достижения максимальной производительности и т. п.
Как мы уже сообщали, для производства чипов с соблюдением норм 45-нм и, вполне возможно, 32-нм техпроцесса будут использоваться иммерсионные технологии. В проекте IMEC задействованы 193-нм иммерсионные сканеры ASML XT 1250i, а в середине 2006 ожидается ввод в строй ASML XT1700i с числовой апертурой 1,2. Одновременно с этим, IMEC начнет работу по EUV-литографической программе (EUV – extreme ultraviolet, жесткий ультрафиолет). Научно-исследовательская работа ведется по трем связанным друг с другом направлениям – интеграции планарных КМОП-транзисторов, усовершенствование high-k (с высокой диэлектрической постоянной) изоляторов и разработка непланарных (неплоских) КМОП-устройств – преимущественно типа FINFET (полевой транзистор с затвором в форме «плавника», что позволяет достичь высокого тока стока при малых токах утечки). Кроме того, ведутся исследования возможности дальнейшего использования медных внутренних соединений и low-k пленок при уменьшении размеров элементов.
Любопытно, что в качестве альтернативы кремнию для изготовления будущих полупроводниковых микросхем по нормам 32-нм техпроцесса в IMEC всерьез рассматривают германий и углеродные нанотрубки.