Samsung Electronics сообщает об успешном освоении производства 512 Мбит модулей памяти стандарта DDR2 по 70-нм техпроцессу. Это станет большим шагом на пути миниатюризации производства DRAM модулей.
Полезный выход новых чипов с одной пластины больше, чем при использовании 90 нм техпроцесса. Чипы работают при низком напряжении - всего 1,8 в. При производстве применяются фирменные технологии Samsung (конденсаторы Metal-Insulator-Metal собственной разработки и транзисторы с архитектурой "Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor").
Поскольку новая память - миниатюрная, то и применяться она будет, в основном, в мобильных устройствах, где размер имеет значение.
Массовое появление (выпуск) новой продукции компания намерена обеспечить только в середине следующего года, поскольку сейчас активно используются лишь 90 и 80 нм продукты. Со второй половины 2006 года планируется производство микросхем плотностью 512 Мбит, 1 Гбит и 2 Гбит.
По мнению аналитиков, рынок DRAM памяти вырастет с 26,5 млрд. долларов до 37,4 млрд. к 2009 году. Произойти это должно благодаря выпуску новых игровых платформ, мобильных телефонов третьего поколения и прочих устройств, в которые будет устанавливаться значительно больший объем памяти, чем в нынешние устройства. Не менее мощным стимулом продаж должна стать и Microsoft, которая вскоре выпустит свежую ОС - Microsoft Vista.