Итак, еще одним докладом, на который обратили внимание наши обозреватели на IDF, стало выступление «Технологии Intel для задач бизнеса» Ричарда Вирта, ведущего научного сотрудника, генерального менеджера подразделения программных решений Intel.
Разумеется, основной темой выступления докладчика были в первую очередь полупроводниковые технологии, и демонстрация с описанием технологий виртуализации серверов. Кстати, о Silvervale Intel уже упоминала на IDF в Сан-Франциско в сентябре. Как было отмечено в выступлении, новая технология виртуализации, позволяющая запускать на одном физическом хосте несколько виртуальных систем, имеет безусловные преимущества в первую очередь для разработчиков ОС и приложений: во-первых, повышается эффективность и гибкость работы, во-вторых, решается ряд проблем, связанных с безопасностью систем. С чем спорить трудно, так это с тем, что Silvervale предлагает разработчикам широкий ассортимент средств разработки, позволяет повысить надежность систем и способна увеличить производительность разработчиков.
Часть доклада была посвящена многоядерным процессорам. Согласно части презентации, посвященной данной тематике, в 2006 году более 40% настольных систем в оценках специалистов компании будут комплектоваться процессорами с двумя ядрами, в серверах количество систем с «двух- и более» ядерными процессорами составит более 85%, в мобильных системах показатель будет достигать более 70%.
Не могли быть обойдены стороной новые технологические процессы, которые Intel планирует использовать в новых решениях, а также использование 300-мм подложек при производстве процессоров. К настоящему моменту, согласно представленным данным, компания «серийно» использует 90-нм техпроцесс на трех 300-мм фабриках: D1G – Хилсбро, Орегон, F11X – Альбукерке, Нью-Мексико, F24 – Лейкслип, Ирландия. Все заводы, как было указано, используют методику точного копирования – для достижения соответствующей производительности и эффективности.
Был в докладе упомянут и 65-нм техпроцесс, рассматриваемый компанией как один из перспективных: во-первых, 1,2-нм затвор из оксида и 35-нм длина затвора способствуют повышению производительности решений, во-вторых, 220-нм расстояние между контактами затворами способствует повышению плотности. Использование же силицида никеля позволяет обеспечить создание затворов с низким сопротивлением и компонентов между стоком и истоком. Таким образом, усовершенствованная технология создания полупроводников на базе напряженного кремния способствует повышению производительности конечных решений.
В ходе доклада были продемонстрированы кадры презентации, касающиеся ячейки 6T-SRAM площадью 0,57 квадратных микрон, используемой в 65-нм технологии производства. Такая ячейка оптимизирована как для малых областей, так и для работы с большими массивами SRAM при низком напряжении. Такие ячейки памяти уже можно обнаружить в 70 Мбит микросхемах SRAM (более 0,5 млрд. транзисторов, размер микросхемы – 110 квадратных миллиметров).