Как сообщил на прошедшей на Тайване конференции вице-президент отделения памяти Samsung, компания начнет серийное производство 8 Гбит компонентов NAND-флэш в четвертом квартале будущего года. Напомним, что микросхемы представлены в конце сентября этого года. В пресс-релизе, посвященном представлению новых решений тогда не было указано сроков начала серийного производства этих микросхем.
Напомним, что Samsung в 2004 году поставила более 10 млн. 2 Гбит микросхем NAND-флэш и начнет серийное производство 4 Гбит компонентов к первому кварталу 2005 года, 16 Гбит MLC NAND-флэш компания планирует выпустить в 2007 году. 8 Гбит микросхемы NAND-флэш компании выполнены с использованием 60-нм техпроцесса. Размер ячейки памяти в новых микросхемах сокращен по сравнению с размером ячейки 4 Гбит NAND-флэш, выполненных с использованием норм 70-нм техпроцесса, на 30%. Ключевыми технологиями, позволившими добиться сокращения размеров ячейки при одновременном увеличении плотности, являются 3D-транзисторы и особая технология изолирования затвора, снижающая интерференцию между ячейками
Несмотря на то, что во втором квартале 2005 года мировые поставки микросхем NAND-флэш могут превзойти спрос, корейский производитель планирует увеличить количество пусков 12-дюймовых пластин до 45 тыс. ежемесячно — с 35 тыс. в этом квартале. По оценкам специалистов компании, в 1 квартале 2005 года поставки компонентов NAND-флэш будут отставать от спроса на 0,9%, во втором и третьем квартале будет наблюдаться перенасыщение рынка (4,7% и 1,6% соответственно), в конце будущего года спрос снова превысит предложение – на 2,1%. По данным обозревателей, именно увеличение выпуска микросхем может являться причиной увеличения капзатрат Samsung в следующем году до 5 млрд. долларов – с 4,1 млрд. в этом году.