На ISSCC Toshiba поделилась некоторыми деталями своей новой технологии, которая упрощает ячейку DRAM до одного транзистора, без необходимости ставить интегральную емкость. Как известно, емкость должна быть определенного номинала, необходимого для нормального функционирования DRAM. Как раз этот фактор мешает миниатюризации ячейки DRAM до уровней ниже 0,1 мкм.
Вот какое интересное решение этой проблемы предложили исследователи из Toshiba: они намереваются использовать интегральный полевой транзистор с применением SOI, который, выражаясь техническим сленгом, "висит в воздухе" Отсюда и название - Floating Body Cell (FBC). Коротко, основные носители заряда подложки (дырки для nMOS), слой диэлектрика (SOI) и вторичная подложка создают конденсатор под самим транзистором.
Такая структура обеспечивает порог различимости сигнала в 250 мВ, что в принципе неплохо. Однако хромает продолжительность хранения импульса, которая на 30° C составляет несколько секунд, а при 85° С - всего 100 мс. Это не подходит для дискретных чипов памяти (на 85° С там должна быть хотя бы секунда), однако удовлетворяет требованиям встроенной DRAM.
Первыми реальными устройствами с применением новой технологии должны стать системы-в-чипе с использованием 0,07 мкм FBC встроенной EDRAM. Первые экземпляры таких ИС не стоит ждать раньше 2004 года.
Источник: Silicon Strategies