Как и многие другие компании полупроводниковой индустрии, в настоящее время Toshiba рассматривает различные варианты получения дополнительных доходов с использованием имеющихся сил. В самое ближайшее время компания намерена предложить свой 130 нм медный техпроцесс сторонним заказчикам в качестве производственной основы. Иными словами, заняться аутсорсингом на манер TSMC, UMC или TI. Значительным плюсом своей технологии перед предложениями конкурентами Toshiba позиционирует очень высокий выход готовой продукции.
Toshiba намерена использовать этот техпроцесс для производства широкого перечня своих собственных продуктов, таких как MIPS процессоров серии TX, конфигурируемых процессоров MeP, однако, в целях боле высокой загрузки оборудования готова поработать и на третьи компании. Благо новый 0,13 мкм техпроцесс с восьмислойной металлизацией и затворами со стандартной шириной 110 нм от Toshiba Semiconductor имеет отлаженную технологию интеграции DRAM объемом 4, 8, 16 и 32 Мбит, 6T SRAM с размером ячейки 2,48 кв. микрон, аналоговых модулей для построения современных SoC (system-on-chip). Использование медных соединений в сочетании с технологией двойного дамаскирования позволяет добиться минимального шага между проводниками в 0,34 мкм.