Как сообщает источник, голландский производитель литографического оборудования ASML собирается начать поставки пробных EUVL (extreme ultraviolet lithography) инструментов во втором квартале будущего года. Ранее ожидалось, что ASML выпустит на рынок первые образцы EUVL-оборудования в первом квартале 2006 года.
Напомним вкратце, что в EUV-литографии используются источники жесткого ультрафиолетового излучения. Длина волны такого излучения (13,5 нм) меньше, чем длина волны использующихся в современных литографических установках 193-нм лазеров, следовательно, с помощью EUVL-инструментов можно будет создавать рисунка меньшего размера. Предполагается, что первое применение EUV-литография найдет в производстве полупроводниковых микросхем по нормам 32 нм и менее (что произойдет в районе 2009 года). Для норм 45 нм на текущий момент предполагается использовать иммерсионные 193-нм инструменты.
Первые два EUVL-продукта предназначаются исключительно для академических целей: один будет установлен в Университете штата Нью-Йорк, второй – в бельгийском научно-исследовательском центре IMEC. В качестве источника излучения используется разработка Philips Extreme UV (совместное предприятие Philips Lighting и ILT - Fraunhofer Institute of Laser Technology, Фраунгоферовского Института Лазерных Технологий). Оптическая схема двух первых прототипов, включающая в себя по шесть линз, создана Carl Zeiss.
Первые прототипы EUVL-инструментов обеспечивают обработку не менее 10 полупроводниковых пластин в час. Этого достаточно для исследовательских целей, но намного меньше, чем 80-100 пластин в час, требуемые для внедрения технологии в коммерческое производство.
Главной проблемой для увеличения производительности является недостаточная мощность источника излучения. К сегодняшнему дню Philips Extreme достигла уровня около 40 Вт, в то время как для достижения требуемой производительности потребуется не менее 115 Вт.