О начале выпуска микросхем памяти DDR3 плотностью 1 Гбит второго поколения объявила компания Hynix Semiconductor. Новая память изготавливается по 54-нанометровой технологии.
Новые микросхемы рассчитаны на стандартное напряжение питания 1,5 В. Вместе с тем, их энергопотребление на 30% меньше, чем у микросхем первого поколения. Важно, что снижение энергопотребления не повлияло на показатели быстродействия: по данным компании, новые продукты являются наиболее быстродействующими среди микросхем памяти плотностью 1 Гбит, составляющих сейчас основу поставок. По информации аналитической компании iSuppli, на микросхемы плотностью 1 Гбит приходится 87% объема поставок памяти DDR3. Лишь в 2011 году они уступят первенство микросхемам большей плотности.
Массовый выпуск новой памяти начался в этом месяце. Доступно два варианта изделия: с четырехразрядной (H5TQ1G43TFR) и восьмиразрядной (H5TQ1G83TFR) логической организацией.
Источник: Hynix