Samsung: второй этап расширения фабрики в Техасе

Руководство южнокорейского производителя памяти и бытовой электроники, компании Samsung Electronics, сообщило о начале второго этапа расширения фабрики в Остине. Территория фабрики, как отмечается, будет увеличена на 3158 м2; мероприятие осуществляется в рамках плана трехлетних инвестиций в производство, который был представлен в мае 2003 года и оценивается в 500 млн. долларов.

Расширение производственных линий позволит Samsung Austin Semiconductor производить микросхемы DRAM с использованием норм 100~80-нм техпроцесса; производительность линии составит 50 тыс. пластин ежемесячно. Напомним, что, созданная в 1996 году Samsung Austin Semiconductor является единственным заводом Samsung, выпускающим полупроводниковые устройства за пределами Кореи.

В настоящее время фабрике в Остине производит различные типы микросхем DRAM, включая компоненты плотностью 16, 64 и 256 Мбит – с использованием норм 123-нм техпроцесса. В ходе второго этапа расширения предусматривается строительство еще одной производственной линии, «чистой комнаты», установка оборудования будет завершена к июлю 2005 года. Расширение фабрики вынудит корейского производителя увеличить штат сотрудников фабрики на 300 человек в течение 3 лет (в настоящее время на фабрике 970 рабочих мест).

26 июля 2004 в 10:59

Автор:

| Источник: Parasound

Все новости за сегодня

Календарь

июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс