Исследователи из AMD сообщают, что им удалось создать транзистор по технологии FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator, полностью вырожденного кремния на диэлектрической подложке), который, как утверждается, работает примерно на 30% быстрее, чем предыдущий PMOS-транзистор. О своем достижении компания расскажет на симпозиуме VLSI Technology Symposium, который пройдет с 10 по 12 июня в японском городе Киото.
AMD пока не предоставила данных о том, на какой частоте работает транзистор, ограничившись сообщением о геометрических параметрах: 25-нм затвор на слое кремния толщиной 7 нм и 10 нм.
Последний результат был получен при продолжении серии работ, посвященных исследованию свойств деформированного металлическими затворами полупроводника, которые, как утверждается, могут работать на 20-25% быстрее обычных.