Несмотря на то, что на прошедшей неделе Samsung объявила о достижении наибольшего объема продаж флэш-памяти среди всех производителей и вендоров этого типа памяти, основываясь на данных iSuppli, Semico Research, уже упоминавшаяся сегодня, опровергает эти данные и считает, что Intel по прежнему занимает первое место.
Напомним, что в отчете iSuppli утверждается, что Samsung превзошла Intel в третьем квартале текущего года, если совместить объемы продаж NAND и NOR флэш-памяти. Основное возражение Semico заключается в тезисе о неправильности совмещения NAND и NOR – компания полагает, что эти два сегмента одного и того же рынка необходимо различать и присваивать первые места по отдельности: Samsung – в области NAND, Intel – в области NOR.
По данным Semico, Samsung добилась лидирующего положения, увеличив доход от продаж флэш-памяти на 50% до $615 млн. В сумме по продажам NAND и NOR флэш-памяти рыночная доля Samsung составляет около 20%, а за ней идет Toshiba с 17,3% ($532 млн. продаж, что на 61% больше прошедшего года). На третьем месте идет совместное предприятие AMD и Fujitsu (полное название — FASL LCC Spansion) с 13,8% рынка, и лишь на четвертом – Intel с 13,5% рынка и $416 млн. продаж. Замыкает пятерку лидеров Sharp (10,4%, $318 млн.).
Однако Semico подчеркивает, что такое распределение (по сумме продаж продажам NAND и NOR флэш-памяти) не отражает всех нюансов рыночной ситуации. Компания отмечает, что Intel продолжает лидировать в сегменте NOR (а совсем недавно лидировала в обоих сегментах) и единственно возможным конкурентом ей может стать только Spansion. Да и Samsung планирует расширить производство NOR-памяти, так что всем лидерам придется нелегко.
Согласно последним полученным нами из представительства Nikon в СНГ сведениям, информация о том, что Nikon планирует привлечь к производству 3-мегапиксельных камер тайваньские компании, прошедшая в интернет-СМИ 13 ноября, нуждается в коррекции.
Несмотря на то, что, действительно, представители Nikon провели ряд встреч с тайваньскими производителями, эти контакты имели целью не установление партнерских отношений, а сбор информации по региону. Поэтому официально сообщаем, что на текущем этапе Nikon не имеет планов по привлечению к изготовлению фотокамер OEM-производителей Тайваня.
В свете этого информация Primax Electronics, опубликованная у нас с "подачи"
Digitimes о том, что "тайваньские
производители смогут начать поставки фотокамер Nikon через 9-12 месяцев"
теряет под собой все основания.
"Мы живем в 300-мм мире", — именно так описал ситуацию с фабриками, на которых производятся чипы памяти, президент аналитической компании Strategic Marketing Associates (SMA), Джордж Бернс. Вот несколько интересных отрывков из опубликованного отчета компании:
Подтверждением предположения, что спрос на память снизился в связи со смещением потребительского спроса в сторону электроники, отличной от ПК, могут послужить данные аналитических компаний, занимающихся обзором рынка.
Высокий спрос на цифровые камеры и неожиданный всплеск продаж новых сменных носителей для ПК привел, по словам аналитиков, к возникновению дефицита флэш-памяти. Однако, как отмечают различные источники, повышения цен на готовые решения (флэш-карты, USB-drive´ы и иже с ними) конечным потребителям ждать не стоит, однако, как это обычно бывает, не будет и снижения цен, а также добавлениями производителями каких-то дополнительных возможностей устройств. Как отмечают аналитики Semico Research, производители оборудования в подобных ситуациях предпочитают "сэкономить на дополнительных возможностях оборудования, дабы оправдать свои затраты на чипы флэш-памяти".
Скачок спроса на чипы флэш-памяти был отмечен в третьем квартале, а дефицит памяти, по оценкам представителей Samsung (треть поставляемых чипов памяти которой – чипы NAND-флэш), продлится до первой половины 2004 года. Несмотря на то, что компания постоянно увеличивает выпуск чипов флэш-памяти, угнаться за спросом пока не представляется возможным.
Комментируя сложившуюся ситуацию, аналитики iSuppli отмечают, что напряжение в секторе может несколько ослабнуть после того, как в игру вступят STMicroelectronics и Hynix Semiconductor; правда, первые чипы могут появиться на рынке как к середине, так и к концу 2004 года.
Intel планирует постепенно пересмотреть приоритеты своего бизнеса и отойти от концепции приоритетной разработки базовых полупроводниковых решений – в таком ключе провел недавно пресс-конференцию главный управляющий компании Крэг Барретт (Craig Barrett). В частности, планируется большинство финансирования направить на исследовательские (R&D) проекты в области беспроводных портативных устройств, бытовой техники и компонент телекоммуникационной инфраструктуры.
Основным фокусом компании, по словам Барретта, станет развитие технологий модульных стандартизованных коммуникационных решений. Барретт считает, что для коммуникационной индустрии будет лучше, если она станет похожа по своей структуре на современный компьютерный сектор. Разумеется, Intel будет продвигать в первую очередь свои архитектуры, чипсеты и программное обеспечение, которое компании хотелось бы видеть de facto стандартными в коммуникационной отрасли.
Барретт отметил, что большая часть бизнеса Intel ведется за пределами Северной Америки: около 70% продаж приходится на Европу и Азиатско-Тихоокеанский регион. Соответственно, компания продолжит свое внедрение на развивающиеся рынки Китая, Индии и России. Надо отметить, что усилия Intel на нашем рынке действительно впечатляют, темпы интеграции компании в российскую экономику просто фантастические. Напоминаем, что читатели нашего сайта могут познакомиться с различными бизнес-инициативами Intel в нашем новом разделе IT-решения для бизнеса.
Развитие обстановки на рынке памяти в этом году, по единодушному мнению всех обозревателей, является нетипичным для конца ноября – начала декабря. Об этом заявляют, впрочем, и сами производители памяти. Так некоторые интернет-ресурсы опубликовали цитаты выступления исполнительного директора Infineon на конференции инвесторов, прошедших в конце прошлой недели.
Производство второго по величине производителя полупроводников в Европе только-только снова стало рентабельным – произошло это в 4 квартале финансового года, который закончился для компании в конце сентября. Компания получает прибыль только если цена чипов превышает 4,5 доллара [речь идет о чипах DDR SDRAM, mainstream-памяти], а по состоянию на сегодняшний день ни один из типов чипов до этой отметки не дотягивает.
Самое интересное, что пока производители затрудняются сказать, является ли текущее снижение цен преднамеренным действием (производителей ПК, стремящихся закупать комплектующие по максимально низким ценам) или сезонным эффектом, когда производители ПК считают, что, во-первых, имеющихся на складах запасов памяти уже достаточно для удовлетворения спроса в период предпраздничных покупок и перестают закупать память, а, во-вторых, страхуются от переизбытка чипов и модулей в начале первого квартала. Одно очевидно точно: в "цикличную" структуру роста и спада рынка нынешняя ситуация не укладывается.
Велика, однако, вероятность того, что продолжающийся последние три недели спад на рынке памяти является результатом активного продвижения на рынок электронных изделий, которые привлекают большее внимание покупателей. Например, в такую категорию можно занести хотя бы те же самые мобильные телефоны – (кстати, Ульрих Шумахер как раз отмечает, что спрос на чипы памяти для этих устройств – в зависимости от заказчика – на 30-50% превысил прогнозировавшийся).
Как бы не складывалась ситуация по внедрению технологических норм 90 нм в массовое производство, какие бы рапорты не доносились от производителей, уже сейчас, за месяц до конца 2003 года, можно отметить непреложный факт: новый техпроцесс, хоть и опробован отдельными компаниями, в массы "двинется" только в 2004 году. Наблюдая за сообщениями лидеров индустрии, можно сделать вывод, что очень многие из них намерены начать массовое производство чипов по новым нормам до конца следующего года. Не составляет исключения и компания IBM, которая в феврале следующего года, в ходе форума IEEE Solid-State Circuits Conference, намерена представить свой первый 90 нм процессор — PowerPC 970, или G5.
По предварительным данным, новый G5, по аналогии с Intel SpeedStep, будет обладать функцией динамической регулировки напряжения питания ядра и тактовой частоты в зависимости от нагрузки — PowerTune. Однако, в отличие от технологии SpeedStep, функция PowerTune будет обеспечивать синхронную регулировку частоты сразу нескольких чипов в многопроцессорных системах. Кстати сказать, даже в нынешних чипах G5, выполненных с соблюдением норм 0,13 мкм техпроцесса, есть задатки такой технологии, правда, в однопроцессорной версии, при этом тактовая частота снижается до 1,3 ГГц, а частота системной шины – до 650 МГц.
Таким образом, первые опытные партии новых 90 нм чипов G5 ожидаются, вроде бы, к осени 2004 года. Впрочем, по отдельным неподтвержденным данным, мы увидим кое-какие обновления 0,13 мкм G5 еще этим летом. Ходят слухи, что к марту Apple намерена представить новенький Power Mac G5, обновленный северный мост которого будет поддерживать DDR2-533. Примерно летом появятся 0,13 мкм G5 c FSB 1,5 ГГц и тактовой частотой до 3 ГГц.
Sanyo представила новый сублимационный фото принтер DVP-P1. Устройство оптимизировано для печати снимков 10х15 см без рамки, может использовать несколько типов бумаги для оптимального качества, а кроме того, имеется возможность создания специального покрытия, предотвращающего отпечатанный материал от вредного воздействия прямых солнечных лучей и влаги. Как утверждает Sanyo, отпечатанные DVP-P1 снимки не теряют своего качества в течение 100 лет.
Характеристики DVP-P1:
Как сообщают исследователи Университета Калифорнии в Лос-Анджелесе и Университета Штата Пенсильвания, им удалось создать принципиально новые топливные элементы на метаноле повышенной эффективности. Новые топливные элементы можно будет использовать в портативных электронных приборах и автономных миниатюрных устройствах.
Идея использования метаноловых топливных элементов не нова. Однако есть и проблемы: малая эффективность, большие размеры (связанные с наличием движущихся частей), высокая температура. В элементе американских разработчиков используется специальная мембрана, пропускающая протоны, и небольшой активный резервуар, испещренный каналами шириной 0,75 мкм и глубиной 0,4 мкм. Упрощенная схема действия элемента такова: водный раствор метанола поступает на анод через микроканалы, генерируя электроны и протоны (ионы атомарного водорода, промежуточного продукта реакции окисления метанола). Протоны через мембрану (содержащую электролитический раствор) мигрируют к катоду, а электроны протекают через внешнюю цепь, создавая электрический ток. Электроны рекомбинируют с протонами на катоде, образуя водород, который затем образует ковалентную связь с кислородом воздуха, превращаясь в воду.
Реакция окисления в микроэлементе происходит при температуре 60 градусов Цельсия, а эффективность составляет 47 мВт на кв. см. при использовании одномолярного раствора метанола. Возможна работа и при комнатной температуре, но эффективность при этом меньше – около 14 мВт на кв. см.
Что ж, у Toshiba и STMicroelectronics, работающих в этом направлении, может вскоре появиться серьезный конкурент, если, конечно, никто из них не купит прежде эту технологию.
