В нашей тестовой лаборатории на испытательном стенде — системная плата Gigabyte на чипсете SiS655TX, 8S655TX Ultra — для процессоров pentium 4 с FSB 800 МГц. Характеристики платы достаточно стандартны: двухканальная поддержка DDR400/333, 5 слотов PCI, слот AGP 8x, сетевой контроллер — Gigabit Ethernet, 6-канальный звук, поддержка Serial ATA, ATA133 RAID.

Так называемые "баги" последних версий драйверов под 3D карты, вызываемые всевозможными "заточками", спешкой с их реализацией и т.д., в последнее время принимают массовый характер. Вот, например, последняя версия драйверов Catalyst версии 3.8 от от ATI вызвала неоднозначный отклик у пользователей. О вопросах аппаратной совместимости мы уже писали в наших новостях (см., например, О проблемах при использовании драйверов Catalyst версии 3.8. Официальный ответ ATI). Однако, в Сети продолжают появляться всевозможные сообщения на эту тему, а в конференции , например, даже заведен специальный топик, в котором собираются замеченные "глюки" новой версии драйверов.

Проблемы, отмечаемые пользователями карт на чипах от ATI при работе с Catalyst 3.8, как правило, носят характер всевозможных "багов" – как программных, так и аппаратных, появляющихся в той или иной игрушке. При этом стоит отметить, что "списочек" имеет приличную длину и упоминание самых разнообразных проблем. Будем надеяться, что при выпуске следующей версии своих драйверов ATI учтет все замечания, высказанные в адрес версии 3.8.

Что касается нашего сайта, то список замеченных багов выкладывается в специальном разделе 3DGiТогов: Галерея скриншотов с ошибками рендеринга. Ради справедливости стоит отметить, что там же фигурируют и ошибки драйверов ForceWare версии 52.16 от НВИДИА.

Сингапурский контрактный производитель чипов, компания Chartered Semiconductor Manufacturing подписала договор с MoSys о выпуске 1T-SRAM-Q с использованием норм 0,13-мкм техпроцесса. К настоящему моменту Chartered уже освоила выпуск чипов 1T-SRAM по нормам 0,18 и 0,13-мкм техпроцессов и в настоящее время осваивает выпуск этих решений с использованием 90-нм технологии.

Соответственно, расшифровывается название довольно просто: 1Т – однотранзисторная, - статическая оперативная память и Q (Quad density) – четырехкратная.

Компания отмечает, что поскольку аппетиты у мобильных устройств на память постоянно растут, необходимо изыскивать способы уменьшения размеров ячеек памяти. Размеры одной ячейки составляют порядка 0,5 и 0,28 мкм при производстве по 0,13 и 0,09-мкм нормам, что позволяет производить 128 и 256-Мбит чипы.

Компания DFI сообщила о выпуске и начале поставок двух новых плат LANParty Revision B, LANParty NFII Ultra B и LANParty PRO875B. LANParty NFII Ultra B – модель для процессоров AMD, LANParty PRO875B – под процессоры Intel, включая 3,2 ГГц P4 Extreme Edition.

Отличительными особенностями Revision B являются:

• Два (Gigabit LAN и 10/100 Ethernet) сетевых порта
• Дополнительное свободное место вокруг слота AGP
• Дополнительный радиатор на южном мосту
• Крепежные отверстия вокруг процессорного разъема для установки системы водяного охлаждения
• 4-канальный Serial ATA от Silicon Image

Еще одна новинка Sony: североамериканское представительство Sony Computer Entertainment сообщает о начале продаж USB-гарнитуры для PlayStation 2. Гарнитура интересна тем, что в ней реализованы технологии Voice Over Internet Protocol (VoIP) и распознавания речи для подачи голосовых команд для PS 2.

Рекомендованная производителем цена: $30.

Японская компания Nippon Leiz представила на FPD International 2003 собственный вариант реализации подсветки дисплеев мобильных телефонов с двумя экранами (основным и вспомогательным) – посредством одного модуля. Технология позволяет использовать новый блок подсветки в телефонах с 2-дюймовым основным и 1,2-дюймовым вспомогательным экранами.

До настоящего момента уже были попытки такой реализации подсветки, но тогда на основном экране "просвечивал" вспомогательный. По словам инженеров Nippon Leiz, теперь эта проблема устранена. На выставке компания представила два вида модулей подсветки: обычной (на фото – снизу) и повышенной яркости.

Под "обычной" производитель понимает яркость 1500 нит для основного дисплея, 1600 нит – для вспомогательного. "Повышенная" яркость в терминах компании – 1900 нит для основного и 2050 нит для вспомогательного экранов. Потребляемая мощность обоих представленных модулей подсветки составляет 210 мВт. Как отметили руководители Nippon Leiz, модуль подсветки повышенной яркости поступит на рынок весной 2004 года.

Согласно сообщению Intel, специалистам компании удалось совершить существенный прорыв в использовании новых материалов для производства чипов. Согласно этому заявлению, использование новых материалов позволит значительно сократить утечки тока, а значит значительным образом снизить энергопотребление микросхем и их тепловыделение.

Итак, уже в 2007 году Intel намерена начать использование специальных high-k диэлектриков в затворах транзисторных переходов, что, по мнению специалистов, позволит снизить утечки тока как минимум в 100 раз! Согласно известному Закону Мура, количество транзисторов в процессорах к тому времени вполне может приблизиться к 1 млрд. Планируется, что в 2007 году компания перейдет к нормам 45 нм техпроцесса. Именно на данном этапе привычный диоксид кремния в затворах будет заменен на пока что неназванный high-k диэлектрик. Наряду с этим, компания также планирует отойти от использования добавок поликристаллического кремния при формировании электрода затвора транзистора, и начать использование двух различных металлов, соответственно, для создания переходов в NMOS или PMOS типах транзисторов.

Суть нынешней проблемы с утечками, если обрисовать это схематически, заключается в следующем: толщина слоя диоксида кремния, применяемого нынче в затворах транзисторов в качестве диэлектрика, доведена до 5 атомов, что в свою очередь, приводит к туннелированию электронов сквозь слой окисла во "включенном" состоянии и увеличению энергопотребления. Переход к использованию high-k материалов ведет к тому, что ток, текущий по переходу во включенном состоянии, лишь незначительно превышает этот показатель в закрытом состоянии, и, соответственно, можно говорить о значительном снижении утечек.

Сам эффект снижения утечек от применения high-k окислов, как таковой, известен уже давно, однако, до сих пор ученые находятся в поиске материалов, наиболее подходящих для таких целей. Применение уже известных high-k материалов, например, оксида гафния, циркония и других обычно приводит к существенному снижению тока в канале под диэлектриком затвора, плюс, приводит к серьезным проблемам при установке порогового напряжения срабатывания затвора, особенно в транзисторах PMOS-типа.

Ожидается, что подробности о технологии применения новых high-k диэлектриках будут представлены Робертом Чоу (Robert Chau), ведущим разработчиком лаборатории Intel в Хиллсборо, Орегон, в четверг, на конференции International Gate Insulator Workshop в Токио. Презентация подробно описывает создание транзисторов NMOS и PMOS типов с физической длиной затвора порядка 80 нм и применением диэлектриков толщиной порядка 1,4 нм (14 Ангстрем).

Sony представила четыре новых модели портативных накопителей на флэш-памяти с интерфейсом USB серии Micro Vault.

Первая модель, Micro Vault with Fingerprint Access, содержит 128 Мб флэш-памяти, порт USB 2.0 и биометрический сенсор, распознающий отпечатки пальцев владельца. Заявленная в пресс-релизе цена — $140.

Вторая модель также содержит 128 Мб плюс интегрированный порт Memory Stick/ Memory Stick Duo. Заявленная производителем цена — $90.

Третья модель Micro Vault Mini 128 Мб выполнена в компактном корпусе, а четвертая – обладает емкостью 512 Мб. Рекомендованная производителем цена: $200.

Компания OCZ Technology представила модули PC4200 (DDR533 SDRAM) серии Performance, выполненные с использованием фирменной технологии OCZ HyperSpeed (разработка и подборка для модулей чипов, поддерживающих работу на максимальных частотах). Модули представлены 256 и 512 Мб моделями, а также предлагаются в комплектах – 512 Мб (OCZ533512PFDC-K ) и 1 Гб (OCZ5331024PFDC-K).

Модули OCZ PC4200 Performance оснащены традиционными медными теплоотводными пластинами, поддерживают, по словам производителя, тайминги 3-4-4-8 при напряжении 2,8 В (традиционно для последних представляемых моделей, компания упоминает о том, что гарантия на модули сохраняется при повышении напряжения питания вплоть до 2,9 В). Проверка модулей осуществляется на тестовых стендах на базе плат ASUS P4C800.

Судя по результатам вчерашних и уже прошедших сегодняшних торгов на биржах памяти, спрос на чипы DDR остается слабым, причем, в таких условиях некоторые брокеры предпочли только продавать, чтобы получить минимальную прибыль (как правило это брокеры, имеющие "на руках" некоторые излишки чипов – те, у кого имеющиеся запасы ограничены, предпочли вообще не проводить сделок). В результате цена на чипы памяти не изменилась по сравнению со вчерашним днем (все дневные изменения компенсировали друг друга), как и цена на модули.

На сингапурской бирже все участники торгов стараются сдержать имеющие место попытки демпинга, ибо хорошо понимают, что стимулировать спрос таким образом очень опасно. Обозреватели высказывают опасение, что рынок будет пребывать в таком неустойчивом состоянии еще около недели.

Что говорят аналитики DRAMeXchange, все реже выпускающие свои прогнозы? Пик спотовых цен на чипы пришелся на 30 октября, после чего приближающийся конец месяца и сократившиеся заказы из Европы и Китая привели к снижению темпов роста цен. Судя по текущей ситуации, в течение ближайшей недели она не изменится.

Спрос на SDRAM остается высоким, в результате чего цены 256 Мбит PC133 SDRAM с архитектурой 32x8 даже превысили цены аналогичных по организации чипов DDR. Однако, как считают обозреватели, это вовсе не повод для производителей памяти к увеличению выпуска 256 Мбит (32x8) и 128 Мбит (16x8) чипов SDRAM, поскольку SDR SDRAM составляет всего 10% мирового рынка памяти. Чипы SDRAM 4Mx16 дорожают, как уже отмечалось, из-за снижающихся поставок. Если производители решат сделать ставку на эти чипы и увеличат их выпуск, то займет это все равно 2-3 недели, то есть, до середины ноября цены на эти чипы останутся на текущем уровне. В прогнозе высказано здравое предположение, что в этом году накануне Рождества самым ходовым товаром на рынке компьютеров будут barebone-системы. Что из этого следует? То, что, в отличие от сборка-поставка barebone на рынок занимает меньше времени, чем сборка настольных ПК OEM-производителями, стало быть, сроки начала массовых заказов модулей памяти тоже сместятся к концу ноября-началу декабря.

По сообщениям источников, Powerchip Semiconductor планирует начать в континентальной части Китая 8" фабрику, под проект в 2004 году будет выделено до 1 млрд. долларов США, в 2005 году – еще около 0,8 млрд. По оценкам специалистов компании, удовлетворить спрос на память в будущем PSC сможет только построив вторую фабрику. После завершения строительства производитель планирует осуществлять регулярные вложения увеличение производственных мощностей, так что, возможно, через несколько лет PSC войдет в четверку лидеров – после Samsung, Micron и Infineon.

IBM представила новый сервер на процессорах AMD Opteron eServer 325 (e325), специально предназначенный для построения высокопроизводительных вычислительных кластеров eServer Cluster 1350.

Каждый eServer 325 содержит до 48 2-ГГц процессоров AMD Opteron 240, 242 или 246, работает под управлением ОС Linux. В кластер eServer Cluster 1350 могут быть включены узлы хранения данных IBM eServer x345 и x360, узел управления eServer x345 (на процессорах Intel Xeon), а также комбинации систем eServer BladeCenter HS20.

Для упрощения создания новых серверных кластеров IBM вместе с eServer Cluster 1350 поставляет программное обеспечение LCIT (Linux Cluster Install Tool), автоматизирующее процесс установки компонент.

Вышла новая, релизная версия теста RightMark 3DSound 1.0!

Возможности теста версии 1.0 (отличия от бета-версии выделены полужирным):

• DirectSound-диагностика: вывод аппаратно поддерживаемых функций заданным DirectSound-устройством;
• проверка наличия поддержки EAX1, EAX2, EAX3, EAX4;
• Проверка качества позиционирования источников звука при использовании DirectSound3D, в том числе и по вертикали;
• возможность тестов с EAX2, EAX3, а также с наличием окклюзий и обструкций;
• замер загрузки процессора при различном числе DirectSound- и DirectSound3D-потоков, а также с включенной реверберацией;
• специальная статистическая обработка результатов измерения загрузки ЦПУ, выдача не только среднего значения, но и характеристики разброса значений, добавлен пакетный режим тестирования;

• обновленная версия руководства пользователя .

Скачать RightMark 3DSound с кратким руководством на русском языке можно в разделе "Скачать файлы".

RightMark Audio – независимый некоммерческий проект с открытым исходным кодом по аудиоизмерениям, развиваемый силами команды сайта iXBT.com.

Для конструктивного общения и обсуждений программы открыта постмодерируемая конференция.

Все подробности – на сайте audio.rightmark.org (русскоязычная версия находится здесь: audio.rightmark.org/rus).

Как сообщает тайваньская фондовая биржа TSE (Taiwan Stock Exchange) SiS подписала соглашение с Microsoft, касающегося поставок микросхем-контроллеров ввода-вывода для игровых продуктов Xbox.

Напомним, день назад мы писали об аналогичном соглашении Microsoft с IBM. К сожалению, до сих пор нет никаких известий о том, когда будут выпущены первые модели новых Xbox.