О новом достижении в области быстрой асинхронной памяти типа SRAM объявила компания Cypress Semiconductor. Ей первой среди производителей этой продукции удалось выпустить микросхемы плотностью 32 и 64 Мбит. По словам производителя, новинки характеризуются очень высоким быстродействием и имеют минимальные размеры среди похожих продуктов.
Микросхема CY7C1071DV33 вмещает 32 Мбит информации, микросхема CY7C1081DV33 — 64 Мбит. Обе они рассчитаны на напряжение питания 3 В, обе могут работать в 16-разрядной и 8-разрядной конфигурации шины ввода-вывода. Время доступа равно 12 нс. Микросхемы CY7C1071DV33 и CY7C1081DV33 имеют 48-выводные корпуса типа BGA размерами 8,0 x 9,5 x 1,2 мм и 8,0 x 9,5 x 1,4 мм соответственно.
Для изготовления быстрой асинхронной памяти типа SRAM используется оптимизированный по критерию быстродействия 90-нанометровый техпроцесс CMOS C9, разработанный специалистами Cypress. Серийный выпуск CY7C1071DV33 уже начат. Доступность CY7C1081DV33 пока ограничена ознакомительными образцами, но в октябре компания рассчитывает прейти к массовому производству.
Областями применения новых микросхем названы серверы-хранилища, коммутаторы и маршрутизаторы, тестовое оборудование, охранные системы и электроника военного назначения.
Источник: Cypress