Компания Qimonda AG опубликовала свою «дорожную карту» — график разработки технологий и выпуска новых продуктов. В нее включено освоение серийного производства по нормам 30 нм. Соответствующие компоненты памяти будут иметь размер ячейки 4F². Ключом к новым продуктам стала технология Qimonda Buried Wordline DRAM, обеспечивающая высокое быстродействие, малое энергопотребление и миниатюрные размеры чипов. В настоящее время, Qimonda внедряет эту технологию в 65-нм техпроцессе, рассчитывая начать выпуск 1-Гбит чипов DDR2 во второй половине года.
«Мы первыми в отрасли опубликовали план выпуска DRAM вплоть до 30-нм поколения», — так прокомментировал ситуацию президент и главный исполнительный директор компании Кин Ва Ло (Kin Wah Loh).
Qimonda рассчитывает начать серийный выпуск памяти по 46-нм технологии Buried Wordline DRAM во второй половине 2009 года. Переход к нормам 46 нм позволит более чем удвоить плотность хранения по сравнению с обычной 58-нм технологией. Компания намерена инвестировать примерно 100 млн.евро собственных средств в течение 2009 и 2010 финансовых годов чтобы перевести имеющиеся мощности на технологию Buried Wordline.
Источник: Qimonda AG