Компании
Intel и Micron Technology
объявили сегодня о разработке высокоскоростной флэш-памяти типа
NAND (SLC), которая имеет быстрый доступ и высокие
показатели скорости чтения и записи.
Совместное предприятие этих компаний, IM Flash Technologies (IMFT), разработало память, которая в пять раз быстрее обычных флэш-носителей. Новое достижение инженеров для флэш-памяти NAND (SLC) — 200 МБ/с при операциях чтения и 100 МБ/с при записи, что превышает показатели аналогов. Новая память удовлетворяет спецификации ONFI 2.0, имеет «четырехплоскостную» архитектуру и высокую рабочую частоту.
Чипы новой памяти Micron производятся по 50-нм техпроцессу и имеют ёмкость 8 Гбит. Их производительность — выше всяких похвал, но в данном случае, SLC-тип означает, что кроме высокой скорости эта память будет характеризоваться ещё и немалой ценой. Тем не менее, дальнейшая интеграция NAND-памяти и контроллера NVMHCI (Non-Volatile Memory Host Controller Interface) в платформу РС приведут к серьёзному увеличению производительности системы в целом.
В данный момент уже ведется отгрузка производителям готовой продукции ознакомительных образцов. Появление в продаже этих готовых продуктов на базе новой памяти Micron ожидается во второй половине этого года.
Источник: Micron Technology