Компания Fujitsu сообщила о начале серийного выпуска чипов сегнетоэлектрической памяти (FRAM) ёмкостью 2 Мбит: MB85R2001 (256 K x 8) и MB85R2002 (128 К x 16). Напомним, что в основе этого типа энергонезависимой памяти лежит сегнетоэлектрический эффект, заключающийся в сохранении локальными участками диэлектрической пленки электрической поляризации в отсутствие электрического поля. Скорость записи для чипов FRAM, как сообщает Fujitsu, в 10 000 раз больше, чем у EEPROM, максимальное количество циклов перезаписи также на четыре порядка выше. Как и более старые 1-Мбит чипы MB85R1001 и MB85R1002, новинки будут выпускаться в упаковке TSOP-48.
MB85R2001 и MB85R2002 доступны с 18 апреля по цене 2000 японских иен (17 долларов), месячный общий тираж чипов составит 200 тысяч штук в месяц.
Основные характеристики:
- Организация (MB85R2001 / MB85R2002): 256 K x 8 / 128 К x 16
- Рабочее напряжение: 3,0 - 3,6 В
- Время доступа (чтение): 100 нс
- Цикл записи/чтения: 150 нс
- Срок хранения данных: более 10 лет
- Макс. количество циклов перезаписи: более 10 миллиардов
- Упаковка: TSOP-48
- Рабочий диапазон температур: от -20 °C до +85 °C