Снова о Samsung – и снова – о флэш-памяти. Стараясь удержать лидерство в секторе флжш-памяти, южнокорейская компания планирует удвоить выпуск флэш-памяти (в терминах суммарной плотности) и уже начала поставки 2 Гбит микросхем NAND-флэш, выполненных с использованием норм 90-нм техпроцесса.
Как отметил вице-президент по маркетингу и продажам памяти в американском филиале компании, Том Квинн, в этом году рынок NAND-флэш может вполне показать 180-200; рост в терминах суммарной плотности поставленных решений, но, по оценкам компании WR Hambrecht LLC, тем не менее, сохраняется вероятность дефицита этого типа памяти до третьего квартала года.
Суммарные капзатраты Samsung на производство микросхем в 2004 году составят 5,9 млрд. долларов (5,14 млрд. долларов в 2003 и 3,1 млрд. долларов в 2002 году), но вот капзатраты на производство памяти снизятся с 3,24 млрд. долларов в 2003 году до 1,3 млрд. долларов в 2004. Несмотря на частичное сокращение капзатрат, компания намеревается остаться лидером поставок как DRAM, так и флэш-памяти.
Впрочем, не стоит думать, что конкуренты корейского производителя стоят на месте – Toshiba, поставщик NAND-флэш, также готовит 90-нм техпроцесс для микросхем памяти этого типа; а Intel полна решимости вернуть потерянную рыночную долю и потеснить Samsung, Toshiba и Renesas, СП Fujitsu/Advanced Micro Devices. Получится ли у производителя процессоров осуществить свои планы – ведь картина спроса и предложения очень сильно изменилась с выходом на рынок флэш-памяти Hynix, Infineon и STMicroelectronics. Как бы то ни было, но, похоже, именно Intel, увеличивающая производство NOR-флэш на линиях, использующих 90-нм техпроцесс, является самым опасным конкурентом корейской компании.
Несмотря на то, что NAND-флэш и NOR-флэш имеют свои преимущества друг перед другом, используются для разных задач и теоретически мало "пересекаются", руководство Samsung внимательно следит за усилиями Intel в сфере NOR-флэш.