По следам IEDM: одноэлектронные транзисторы Texas Instruments и 5-нм элементы NEC

На конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) Texas Instruments совместно с Швейцарским Федеральным Технологическим Институтом в Лозанне и Научно-исследовательским центром ВВС США (U.S Air Force Research Laboratory) сообщают о разработке способа применения одноэлектронных транзисторов (SET, single electron transistors) для выполнения логических функций. В своей презентации ученые из TI представили вариант использования комбинации SET и CMOS-процесса (CMOS – complimentary metal-oxide-semiconductor, КМОП) в устройствах, названных ими SETMOS. Исследователи полагают, что технология SETMOS позволит в будущем преодолеть ограничения на размер базовых элементов полупроводниковой логики, вызванные дискретными свойствами электрического заряда. По некоторым оценкам, достижение теоретических пределов возможно в течение 10-15 лет начиная с сегодняшнего момента.

Согласно представленным данным, SETMOS-устройства проявляют эффект Кулоновской блокады, как и традиционные одноэлектронные транзисторы, однако возможно достижение гораздо больших величин электрического тока (главная проблема SET – в недостаточной подвижности электронов, соответственно, в малой величине возможного тока).

Тем временем NEC сообщила о разработке, как она утверждает, самого маленького транзистора с затвором размером всего 5 нм. В полупроводниковый чип обычного размера (порядка 1 кв. см.) сможет уместиться до 40 млрд. таких транзисторов, а значит, в обычный десктоп можно будет собрать систему, производительность которой будет сравнима с производительностью среднего суперкомпьютера.

К сожалению, пока не известно, когда компания сможет начать производство таких транзисторов и будут ли процессоры на их основе достаточно производительными для создания компактных суперкомпьютеров – ведь, как известно, одних малых размеров мало.

По материалам CNET, EE Times.

12 декабря 2003 в 10:05

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс