Подразделение микроэлектроники IBM сегодня сообщило о том, что компания готовит к внедрению 90-нм технологический процесс. Новый процесс, названный Cu-08, использует медные проводники, диэлектрики с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости, технологию SOI (полупроводник на изоляторе) и позволяет встраивать память и использовать приемы понижения напряжения.
Внедрять свой 90-нм процесс Cu-08 IBM будет на заводе в East Fishkill, а к третьему кварталу текущего года обещает выпустить набор инструментов для дизайнеров ASIC и других типов микросхем. По словам компании, первым клиентом IBM, микросхемы для которого будут изготовлены по 90-нм процессу, будет Cisco Systems.
Несмотря на то, что из компаний, стартовавших в гонке за внедрением 90-нм процессов (первой была TSMC, пообещавшая запустить 90-нм процесс уже в этом году, за ней LSI Logic, потом Fujitsu, NEC и UMC, и, чтобы не отстать, к ним присоединились Intel, Motorola и Texas Instruments), IBM стартовала последней, в компании уверены в своем успехе. В IBM считают, что в течение следующего года все станет ясно. Неторопливость IBM вполне понятна - компания не торопится выпустить "сырую" технологию, чтобы потом тратить время и деньги на ее доработку и исправление ошибок.
Изготовляемые по Cu-08 микросхемы будут состоять из восьми слоев, разделенных диэлектриком с низкой диэлектрической проницаемостью SiLK, разработанного Dow Chemical. Элементы соединяются с помощью медных проводников. В Cu-08 применена технология "voltage islands", с помощью которой в различных участках чипа можно использовать различные напряжения. IBM утверждает, что процесс Cu-08 позволит увеличить производительность чипов на 20%, снизив количество потребляемой энергии на 40%.