Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного производства 576 Мбит чипов RDRAM, выполненных с использованием норм 0,11-мкм технологического процесса. Модули на базе этих чипов представлены решениями до 1 Гб и включают в себя 16-bit RIMM, 32-bit RIMM, SoRIMM, NexMod и 4-канальные RIMM.
Пропускная способность модулей при работе с одноканальным чипсетом составляет 2,4 Гб/с, в 4-канальных системах этот показатель достигает 9,6 Гб/с. Как отметил вице-президент Samsung по маркетингу памяти, данные решения предназначены для систем, "для которых производительность памяти является критичным вопросом" – суперкомпьютеров, серверов и сетевых систем.