Toshiba начинает строительство фабрики по выпуску флэш-памяти по нормам менее 20 нм

Toshiba и SanDisk создали совместное предприятие, начато строительство Fab 5 в Японии

Корпорация Toshiba объявила о начале строительства в Японии фабрики по выпуску флэш-памяти типа NAND. Окончание работ по возведению Fab 5 намечено на весну будущего года. Эксплуатацией мощностей будет занято совместное предприятие, созданное Toshiba и SanDisk.

Строительство новой фабрики отражает надежды производителей на увеличение спроса на флэш-память типа NAND, связанное с ростом популярности смартфонов и твердотельных накопителей. Компании Toshiba и SanDisk надеются, располагая дополнительными производственными мощностями, быстро реагировать на расширение рынка.

Строительство разбито на два этапа. После их завершения, фабрика Fab 5 будет сопоставима с Fab 4 — другим предприятием Toshiba по выпуску флэш-памяти, которое сейчас расширяется и модернизируется. Суммарная площадь пяти этажей фабрики составит примерно 187000 м2.

Производственные линии Fab 5 будут оборудованы в расчете на выпуск чипов по 20-нанометровой технологии, с перспективой освоения более тонких норм.

Источник: Toshiba

16 июля 2010 в 01:30

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31