Бельгийский научно-исследовательский консорциум IMEC объявил о создании шеститранзисторной ячейки статической оперативной памяти (SRAM), выполненной с соблюдением норм 45-нм технологического процесса. Поскольку успешная реализация подобной ячейки является своего рода «лакмусовой бумажкой» для каждого поколения технологий, IMEC может говорить о готовности начать постепенное внедрение 45-нм технологий в производство. Каждый из шести транзисторов ячейки содержит три затвора и выполнен по технологии FinFET. Площадь 6-транзисторной ячейки 45-нм SRAM составляет 0,314 кв. мкм.
Утверждается, что ячейка 45-нм SRAM в реализации IMEC обеспечивает уровень статического шума не более 240 мВ при использовании напряжения питания 1,0 В. Ячейка остается работоспособной при снижении напряжения питания вплоть до 0,4 В. Утверждается также, что технологии, примененные при создании ячейки 45-нм SRAM, могут быть успешно использованы и для 32-нм устройств. Как ожидается, IMEC подробно расскажет о своих разработках на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), которая пройдет в Сан-Франциско.
Стоит отметить, что созданные IMEC FinFET (полевые транзисторы с увеличенным затвором), точнее, MuGFET (multigate-FET, многозатворные полевые транзисторы) являются существенно неплоскими: при длине в 40 нм и ширине в 35 нм, их высота составляет 70 нм. Возможно, именно благодаря этому и достигается хорошее значение силы тока и снижаются паразитные эффекты. Исток и сток изготавливаются из силицида никеля (NiSi), проводники – из меди поверх слоя low-k диэлектрического материала (с малой диэлектрической проницаемостью) Black Diamond.
Для изготовления ячейки использовался 193-нм литографический сканер с числовой апертурой (NA) 0,75, для чего потребовалось использовать технологии RET (reticle enhancement techniques).