Корпорация Samsung Electronics начала поставки образцов 512 Мбит микросхем GDDR3, являющейся наиболее «продвинутой» DDR памятью для производителей видеокарт и игровых консолей. Новая память имеет как минимум в два раза большую плотность, чем любая другая графическая память, доступная сегодня на рынке.
«Благодаря нашей новой 512 Мбит GDDR3 памяти мы можем увеличить производительность конечных решений, снизить энергопотребление и эффективнее использовать место на видеокартах, оснащенных 512 Мб памяти», — сказал Муэз Дин (Mueez Deen), директор по маркетингу Samsung Semiconductor.
Напомним, что в ноябре 2003 года компания Samsung представила 256 Мбит компоненты GDDR3, и с тех пор контролирует большую часть рынка графической памяти, для видеокарт класса Hi-End. Аналитики рынка прогнозируют, что в 2005 году рынок графической DRAM увеличится на 30 процентов по сравнению с этим годом и достигнет $1,47 млрд. 512 Мбит микросхемы GDDR3 Samsung являются первыми решениями данного класса, соответствующими стандартам Объединенного инженерного совета по электронным устройствам (Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC). Обеспечивающими пропускную способность до 1,6 Гбит/сек. Серийное производство этих 512 Мбит компонентов GDDR3 запланировано на начало следующего года.
В настоящее время компания серийно выпускает 512 Мбит компоненты GDDR3 SDRAM K4J55323QF-GC14, K4J55323QF-GC16 и K4J55323QF-GC20 с тактовой частотой 700, 600 и 500 МГц (пропускная способность 1400, 1200 и 1000 Мбит/с на контакт). Все они поставляются в 144-контактном FBGA-корпусе. Напряжение питания данных компонентов – 2,0 ± 0,1 В (питание интерфейса ввода/вывода такое же); программируемая задержка записи – 1,2, 3, 4, 5 или 6 тактов, CAS latency– от 5 до 9 тактов.