Как считают специалисты iSuppli, продолжительность расширения мирового рынка памяти во многом зависит от всего 4 производителей памяти и темпов их перехода к использованию норм 90-нм техпроцесса. Согласно последним оценкам от различных аналитических компаний, «темп задают» Samsung, Micron, Hynix и Infineon, чья суммарная рыночная доля составляет около 79%.
Все эти компании планируют начать переход на новый техпроцесс в первой половине 2005 года, а это означает, что статус кво на рынке сохранится в течение всего 2004 и начале 2005 года; в частности, выход годных к использованию микросхем, выполненных по 90-нм технологии, будет низким и на протяжении 2005 года, что ограничит темпы роста производства DRAM в мировом масштабе и ставя поставки памяти и ценообразование в зависимость от четверки лидеров.
Рост рынка в терминах суммарной плотности выпущенных микросхем DRAM в 2004 году составит около 40%, что, во-первых, ниже прошлогодних показателей (44%), а, во-вторых, гораздо ниже «исторически сложившегося» 70% роста. В 2005 году, по оценкам аналитиков, рост рынка составит 45%; ситуация начнет улучшаться лишь в 2006 году, когда ежегодный рост выпуска составит 60%, однако, именно в этот период может наблюдаться перенасыщение рынка, что, в конечном итоге, приведет к 30% снижению доходов от продаж DRAM, которое и закончит 4-летний цикл роста сектора DRAM.
Из четырех лидеров рынка первым на коммерческое производство микросхем, выполненных по 90-нм техпроцессу, перейдет, как ожидается, Samsung, которая уже в настоящее время «обкатывает» технологию на производственной линии Line 12 (правда, выпуская флэш-память). Infineon и Micron наметили путь постепенного перехода на 90-нм технологию, предложив, в частности, новую архитектуру ячеек памяти. Hynix также должна ускорить переход на 90-нм техпроцесс – в частности, об этом сказано в меморандуме о взаимопонимании, подписанного с ProMOS, партнером корейского производителя.
Если производители памяти задержатся с началом перехода на новый техпроцесс до второй половины 2005 года, объемы выпуска годных к использованию микросхем DRAM, выполненных по 0,11 и 0,10-мкм технологиям, приведут к увеличению поставок памяти на рынок и снижению цен. При таком развитии ситуации упадок рынка DRAM начнется не в 2006 году, как предполагается в настоящее время, а уже в конце 2005 года.
Среди других факторов, которые повлияют на поставки DRAM в ближайшие годы, будет переход к выпуску микросхем на новых 300-мм фабриках. К концу 2005-началу 2006 года серийное производство на своих первых таких фабриках начнут Hynix и Micron, Powerchip Semiconductor – на второй 300-мм фабрике; примерно в этот же период времени ожидается начало серийного выпуска микросхем на 300-мм подложках Samsung и Infineon.