В ходе проведения форума IDF компания Intel более подробно осветила планы по внедрению нового технологического процесса с нормами 90 нм. В частности, представители компании сообщили, что наряду с традиционной для Intel CMOS платформой разработка 90 нм технологии предполагает использование кремний-германиевого (SiGe) техпроцесса.
Предполагается, что Intel будет использовать SiGe процесс в версии 90 нм технологии, предназначенной для выпуска коммуникационных чипов. Первыми тестовыми чипами, на которых Intel намерена отлаживать свой 90 нм SiGe техпроцесс, станут 40 Гбит/с коммуникационные чипы SerDes и микросхемы для стандарта W-CDMA.