На конференции International Solid-State Devices and Materials, прошедшей в японском городе Нагойа, корпорация Intel представила свою новую разработку: трехзатворный транзистор.
Жерар Марчик (Gerald Marcyk), директор отделения Intel по разработке компонент, считает, что трехзатворный транзистор, представленный на конференции, может быть использован в будущих чипах, производимых по 45-нм технологическим процессам, которые ожидаются к 2007 году.
Прототип трехмерного транзистора с тремя затворами был создан, используя нормы 130-нм техпроцесса и длина каждого его затвора составляет 65 нм. Компания утверждает, что трехмерность транзистора позволила улучшить передачу тока на 20% и снизить паразитный ток утечки в несколько десятков раз, что, кстати, сравнимо с улучшением этого показателя для КД-транзисторов (кремний-диэлектрик или SOI, silicon-on-insulator).
Как сообщил Марчик, Intel, равно как и другие компании-разработчики полупроводниковых чипов, ищут альтернативные способы производства элементов интегральных микросхем, нежели те, что используются сейчас. При этом Intel не собирается полностью отказываться от развития и обычных, “двухмерных” транзисторов и уже продемонстрировал прототип транзистора с 20-нм вентилем. Однако когда разработчики прикинули, какой будет ток утечки у процессора с 100-200 млн. транзисторов, они пришли в ужас и стали придумывать способы его уменьшить.
Одним из способов снизить ток утечки, к которому прибегли разработчики, стало применение технологии кремний-диэлектрик (КД или SOI). Но есть проблема: уровень логического нуля или единицы в таких транзисторах зависит от толщины диэлектрического слоя, причем оптимальная толщина составляет около 10 нм, и мало того, должна быть равномерной по всей поверхности чипа. Кстати сказать, в Intel уже рассматривали возможность разбиения чипа на области, где возможны вариации уровня логической единицы.
В качестве альтернативы TSMC собирается продемонстрировать свой подковообразный транзистор omega FET, а несколько компаний – FinFET (транзистор с “плавником”). Так что будем ждать дальнейшего развития событий.