Стали известны первые результаты работы компании AMI Semiconductor над ранее представленной технологией XtreMOS. Напомним, компания разрабатывает и производит интегральные микросхемы для обработки аналоговых и цифровых сигналов, преимущественно предназначенные для применения в автомобилестроении, медицине и промышленном производстве.
С технологией XtreMOS связаны надежды на преодоление некоторых ограничений, характерных для сегодняшних полупроводниковых приборов, что позволит существенно улучшить показатели, связанные с работой высоковольтных цепей. В частности, разработчик утверждает, что первые кремниевые чипы, изготовленные с применением XtreMOS превосходят продукцию конкурентов в 2-3 раза по рабочим напряжениям в диапазоне до 100 В и имеют сопротивление Ron не хуже 33 МОм/мм2/
Новые приборы состоят из структуры MOS и находящегося сверху высоковольтного резистора (используется так называемая компоновка RESURF, позволяющая повысить значение Ron, существенно поднять порог напряжения пробоя) и расширить область устойчивой работы прибора (Safe Operating Area, SOA). Как несложно догадаться, область применения новой разработки – высоковольтные устройства, такие, как драйверы линий или схемы управления двигателями.
Напомним, в прошлом месяце компания AMI Semiconductor оказалась первой, кто предложил готовый вариант замены FPGA на ASIC применительно к 90-нм изделиям компаний Altera и Xilinx.
Источник: AMI Semiconductor