Крупнейший японский производитель памяти типа DRAM объявил о завершении разработки памяти DDR3 SDRAM, рассчитанной на производство по нормам 50 нм. Новый продукт, как утверждается, имеет минимальное в отрасли энергопотребление.
Напряжение питания памяти равно 1,2 В. Стоит отметить, что память рассчитана и на большие напряжения, в том числе, на стандартное для памяти типа DDR3 напряжение 1,5 В, и на пониженное напряжение 1,35 В. Максимальная пропускная способность памяти составляет 2,5 Гбит/с (поддерживаются скорости обмена 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 и 2500 Мбит/с). К другим достоинствам памяти, рассчитанной на выпуск 50-нанометровой технологии, является самый маленький в отрасли размер чипа — менее 40 кв.мм.
Первое время память типа DDR3 SDRAM будут использоваться в настольных ПК верхнего сегмента. Постепенно круг ее приложений расширится в сторону ноутбуков и серверов — туда, где сейчас господствует память DDR2 SDRAM.
Массовый выпуск памяти DDR3 SDRAM по нормам 50 нм Elpida Memory рассчитывает начать в первом квартале будущего года.
Источник: Elpida Memory