Симпозиум VLSI в Киото: Intel представляет кремниевый WLAN-чип

Сегодня, в ходе симпозиума в исторической столице Японии, Киото, Intel представила прототип SiP-модуля (SiP – system-in-package) адаптера беспроводной связи 802.11 a/b/g, выполненного по 90-нм КМОП (CMOS) технологии.

В чип интегрирован малошумящий усилитель мощности, напряжение питания которого составляет 1,4 В. Подчеркивается, что в новинке удалось обойтись без использования более дорогостоящих арсенид-галлиевых или германиевых элементов.

Также отмечается, что несмотря на трудности, возникающие при дизайне аналоговых устройств для низких напряжений питания, удалось достичь ширины полосы в 100 МГц, что даже больше, чем будет заложено в следующую версию спецификаций WLAN, IEEE 802.11n.

Чувствительность приемника составляет —71 дБ/м, потребляемый ток – 140 мА. Площадь FCBGA-микросхемы составляет 12,25 кв. мм, потребляемая мощность в режиме приема – 170 мВт, в режиме передачи (требуется дополнительное напряжение питания 3,3 В) – 800 мВт.

17 июня 2005 в 17:57

Автор:

| Источник: Parasound

Все новости за сегодня

Календарь

июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс