Сотрудничество компаний ProMOS Technologies и Hynix Semiconductors, о котором мы писали ранее, принимает новые формы. В частности, недавно было объявлено о начале совместных разработок в области технологии производства. Для этой цели компании совместно организуют научно-исследовательский центр, который разместится на заводе ProMOS, расположенном в так называемом научном парке в Хсинчу (Hsinchu) на Тайване. Представитель компании Альберт Лин (Albert Lin) заявил, что ProMOS выделит на развитие центра 8-10 % своего дохода.
Согласно планам, производственные линии ProMOS освоят производство памяти по нормам 90 нм уже в этом году, используя технологию, полученную от корейского партнера. В свою очередь, ProMOS выделит часть своих мощностей под нужды Hynix.
Целью дальнейшей работы является выход компаний на производство по нормам 70 нм к 2007 году. Напомним, что в настоящий момент ProMOS лицензирует 0,17-, 0,14- и 0,11-микронные технологические процессы у Infineon, а также использует 0,12-микронный процесс собственной разработки.